公开(公告)号：CN106716239B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201580049944.0

申请日：2015-09-21

申请人： 柏林工业大学 ,  斯科雅有限公司

发明人： 斯特凡·梅斯特 ,  奥斯·阿尔-萨阿迪 ,  塞巴斯蒂安·库皮贾伊 ,  克里斯多佛·泰斯 ,  李翰尧 ,  拉尔斯·齐默尔曼 ,  大卫·斯托拉雷克

IPC分类号： G02F1/225 ,  G02F1/025 ,  H04B10/54 ,  H01S5/026 ,  H04B10/548

CPC分类号： G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/124 ,  G02F2202/105 ,  H04B10/54 ,  H04B10/548

摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。

公开(公告)号：CN106716239A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580049944.0

申请日：2015-09-21

申请人： 柏林工业大学 ,  斯科雅有限公司

发明人： 斯特凡·梅斯特 ,  奥斯·阿尔-萨阿迪 ,  塞巴斯蒂安·库皮贾伊 ,  克里斯多佛·泰斯 ,  李翰尧 ,  拉尔斯·齐默尔曼 ,  大卫·斯托拉雷克

IPC分类号： G02F1/225 ,  G02F1/025 ,  H04B10/54 ,  H01S5/026 ,  H04B10/548

CPC分类号： G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/124 ,  G02F2202/105 ,  H04B10/54 ,  H04B10/548

摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——除了波导衰减以外——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。