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公开(公告)号：CN106796326A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580049618.X
申请日：2015-09-25
IPC分类号： G02B6/124
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B6/4206 , G02B2006/12097 , G02B2006/12107
摘要： 本发明涉及光电集成芯片(2)，芯片具有基板(20)、布置在基板上侧(21)的多个材料层、集成在芯片的一个或多个波导材料层中的光波导和光栅耦合器(60)，光栅耦合器形成在光波导中并在波导材料层的出层平面方向上引起波导中引导的辐射的光束偏转或在波导材料层的入层平面方向上使辐射的光束偏转以耦合到波导中。对于芯片，本发明设置光学衍射和折射结构(100、100a)，光学衍射和折射结构集成在光栅耦合器(60)上方或下方的芯片(2)的材料层中，或者集成在光栅耦合器(60)上方或下方的多个材料层中，或者集成在基板(20)的后侧，衍射和折射结构在辐射被耦合入波导中之前或辐射被耦合出波导外之后执行辐射的光束整形。
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公开(公告)号：CN107580686B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680026789.5
申请日：2016-05-03
申请人： 柏林工业大学
IPC分类号： G02B6/28
摘要： 本发明涉及一种光电器件(5)，其包括集成到器件的平面(EB)中的光波导(10)，所述光波导能够在平面中引导光辐射，以及耦合元件(20)，其连接到波导并且能够将在波导中被引导并且从其馈送到耦合元件中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合离开平面，和/或将以一定角度馈送到平面中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合到波导中并且从而耦合到器件的平面中。根据本发明提供了，耦合元件相对于主耦合路径的耦合效率度小于1并且对于耦合元件‑当辐射入光辐射时‑沿次级耦合路径(NKS)输出光损耗辐射(D)，所述光损耗辐射与沿主耦合路径传送的辐射成比例或至少近似成比例，对于光电器件具有检测器(30)，其连接到耦合元件(20)并且完全或至少部分地记录光损耗辐射，并产生检测器信号(DS)，并且对于光电器件具有连接到检测器的控制单元，所述控制单元基于检测器信号影响光电器件的至少一个操作变量。
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公开(公告)号：CN106716199A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049634.9
申请日：2015-09-28
申请人： 柏林工业大学
发明人： 斯特凡·梅斯特 , 汉乔·里 , 克里斯托夫·泰斯 , 塞巴斯蒂安·库皮齐埃
摘要： 本发明涉及一种包括芯片(110)的光电部件(100)，所述芯片(110)具有基底(12)和至少一个被集成在所述芯片(110)中的光波导(20)。根据本发明的一种变型，电光部件(30)被单片集成到布置在基底(12)的基底上侧(12a)上的所述芯片(110)的一个或多个半导体层中、或在所述基底(12)的基底上侧(12a)上，并且所述单片集成电光部件(30)的至少一个电连接借助连接线(41)连接到在所述基底的下侧(12b)下方布置的导体连接(43)。所述连接线(41)从所述电光部件(30)穿过所述基底(12)中的通孔(42)延伸到被布置在所述基底下侧(12b)上的所述导体连接(43)。
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公开(公告)号：CN107438794A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020702.3
申请日：2016-04-12
申请人： 柏林工业大学
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/29395 , G02B6/29398 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , G02F1/3138 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及光电子部件(1)，包括：光波导(30)；集成的光学共振器(60)，波导(30)或波导(30)的至少一部分被布置在共振器中；以及热源(2)，热源在操作期间能够增加共振器(60)的温度。根据本发明，规定：当在波导(30)的纵向方向上观察时，连接板区域(40)横向地邻接波导(30)，所述连接板区域形成波导(30)的护套部且与波导(30)相比具有较小厚度，并且热源(2)借助于连接板区域(40)被热连接到波导(30)。
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公开(公告)号：CN106716199B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580049634.9
申请日：2015-09-28
申请人： 柏林工业大学
发明人： 斯特凡·梅斯特 , 汉乔·里 , 克里斯托夫·泰斯 , 塞巴斯蒂安·库皮齐埃
摘要： 本发明涉及一种包括芯片(110)的光电部件(100)，所述芯片(110)具有基底(12)和至少一个被集成在所述芯片(110)中的光波导(20)。根据本发明的一种变型，电光部件(30)被单片集成到布置在基底(12)的基底上侧(12a)上的所述芯片(110)的一个或多个半导体层中、或在所述基底(12)的基底上侧(12a)上，并且所述单片集成电光部件(30)的至少一个电连接借助连接线(41)连接到在所述基底的下侧(12b)下方布置的导体连接(43)。所述连接线(41)从所述电光部件(30)穿过所述基底(12)中的通孔(42)延伸到被布置在所述基底下侧(12b)上的所述导体连接(43)。
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公开(公告)号：CN107580686A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201680026789.5
申请日：2016-05-03
申请人： 柏林工业大学
IPC分类号： G02B6/28
CPC分类号： G02B6/2852 , G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B6/29341 , G02B6/30 , G02B6/4214
摘要： 本发明涉及一种光电器件(5)，其包括集成到器件的平面(EB)中的光波导(10)，所述光波导能够在平面中引导光辐射，以及耦合元件(20)，其连接到波导并且能够将在波导中被引导并且从其馈送到耦合元件中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合离开平面，和/或将以一定角度馈送到平面中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合到波导中并且从而耦合到器件的平面中。根据本发明提供了，耦合元件相对于主耦合路径的耦合效率度小于1并且对于耦合元件-当辐射入光辐射时-沿次级耦合路径(NKS)输出光损耗辐射(D)，所述光损耗辐射与沿主耦合路径传送的辐射成比例或至少近似成比例，对于光电器件具有检测器(30)，其连接到耦合元件(20)并且完全或至少部分地记录光损耗辐射，并产生检测器信号(DS)，并且对于光电器件具有连接到检测器的控制单元，所述控制单元基于检测器信号影响光电器件的至少一个操作变量。
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公开(公告)号：CN111295608B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980005444.5
申请日：2019-03-29
申请人： 斯科雅有限公司
摘要： 本发明的实施例涉及一种光组件，该光组件包括：被配置为产生光辐射束的光发射器；保持该光发射器的盖单元；包括耦合器的光子芯片；以及布置在该盖单元和光子芯片之间的中间芯片。其中盖单元包括具有底部部分和侧壁的凹部，其中光发射器安装在凹部的底部部分上，其中侧壁的一部分形成相对于底部部分成角度并被配置为将所述光辐射束朝着耦合器反射的镜部分，并且其中，所述中间芯片包括透镜，该透镜形成在面对所述盖单元的所述中间芯片的表面的透镜部分处，所述透镜被配置为将反射的光束朝向所述耦合器聚焦。
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公开(公告)号：CN111295608A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201980005444.5
申请日：2019-03-29
申请人： 斯科雅有限公司
摘要： 本发明的实施例涉及一种光组件，该光组件包括：被配置为产生光辐射束的光发射器；保持该光发射器的盖单元；包括耦合器的光子芯片；以及布置在该盖单元和光子芯片之间的中间芯片。其中盖单元包括具有底部部分和侧壁的凹部，其中光发射器安装在凹部的底部部分上，其中侧壁的一部分形成相对于底部部分成角度并被配置为将所述光辐射束朝着耦合器反射的镜部分，并且其中，所述中间芯片包括透镜，该透镜形成在面对所述盖单元的所述中间芯片的表面的透镜部分处，所述透镜被配置为将反射的光束朝向所述耦合器聚焦。
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