-
公开(公告)号：CN107580686A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201680026789.5
申请日：2016-05-03
申请人： 柏林工业大学
IPC分类号： G02B6/28
CPC分类号： G02B6/2852 , G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B6/29341 , G02B6/30 , G02B6/4214
摘要： 本发明涉及一种光电器件(5)，其包括集成到器件的平面(EB)中的光波导(10)，所述光波导能够在平面中引导光辐射，以及耦合元件(20)，其连接到波导并且能够将在波导中被引导并且从其馈送到耦合元件中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合离开平面，和/或将以一定角度馈送到平面中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合到波导中并且从而耦合到器件的平面中。根据本发明提供了，耦合元件相对于主耦合路径的耦合效率度小于1并且对于耦合元件-当辐射入光辐射时-沿次级耦合路径(NKS)输出光损耗辐射(D)，所述光损耗辐射与沿主耦合路径传送的辐射成比例或至少近似成比例，对于光电器件具有检测器(30)，其连接到耦合元件(20)并且完全或至少部分地记录光损耗辐射，并产生检测器信号(DS)，并且对于光电器件具有连接到检测器的控制单元，所述控制单元基于检测器信号影响光电器件的至少一个操作变量。
-
公开(公告)号：CN107438794A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020702.3
申请日：2016-04-12
申请人： 柏林工业大学
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/29395 , G02B6/29398 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , G02F1/3138 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及光电子部件(1)，包括：光波导(30)；集成的光学共振器(60)，波导(30)或波导(30)的至少一部分被布置在共振器中；以及热源(2)，热源在操作期间能够增加共振器(60)的温度。根据本发明，规定：当在波导(30)的纵向方向上观察时，连接板区域(40)横向地邻接波导(30)，所述连接板区域形成波导(30)的护套部且与波导(30)相比具有较小厚度，并且热源(2)借助于连接板区域(40)被热连接到波导(30)。
-
公开(公告)号：CN103562790B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280012981.0
申请日：2012-03-02
申请人： 柏林工业大学 , IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及一种用于调制预定波长的光学辐射的电光调制器(10)，其中，电光调制器(10)具有至少一个光学谐振器(20)，在该光学谐振器(20)中能够以预定波长形成驻波光波。根据本发明，提供了：在该谐振器中布置至少两个掺杂半导体部分(33，34)-如在谐振器的纵向方向上观察的-它们彼此隔开，并且该至少两个掺杂半导体部分分别局域地位于驻波光波的强度最小值中。
-
公开(公告)号：CN103562790A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280012981.0
申请日：2012-03-02
申请人： 柏林工业大学 , IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及一种用于调制预定波长的光学辐射的电光调制器(10)，其中，电光调制器(10)具有至少一个光学谐振器(20)，在该光学谐振器(20)中能够以预定波长形成驻波光波。根据本发明，提供了：在该谐振器中布置至少两个掺杂半导体部分(33，34)-如在谐振器的纵向方向上观察的-它们彼此隔开，并且该至少两个掺杂半导体部分分别局域地位于驻波光波的强度最小值中。
-
公开(公告)号：CN107580686B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680026789.5
申请日：2016-05-03
申请人： 柏林工业大学
IPC分类号： G02B6/28
摘要： 本发明涉及一种光电器件(5)，其包括集成到器件的平面(EB)中的光波导(10)，所述光波导能够在平面中引导光辐射，以及耦合元件(20)，其连接到波导并且能够将在波导中被引导并且从其馈送到耦合元件中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合离开平面，和/或将以一定角度馈送到平面中的光辐射，沿主耦合路径(HKS)耦合到波导中并且从而耦合到器件的平面中。根据本发明提供了，耦合元件相对于主耦合路径的耦合效率度小于1并且对于耦合元件‑当辐射入光辐射时‑沿次级耦合路径(NKS)输出光损耗辐射(D)，所述光损耗辐射与沿主耦合路径传送的辐射成比例或至少近似成比例，对于光电器件具有检测器(30)，其连接到耦合元件(20)并且完全或至少部分地记录光损耗辐射，并产生检测器信号(DS)，并且对于光电器件具有连接到检测器的控制单元，所述控制单元基于检测器信号影响光电器件的至少一个操作变量。
-
公开(公告)号：CN106716239B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
-
公开(公告)号：CN106716239A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——除了波导衰减以外——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.072 秒)
