公开(公告)号：CN1551712B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200410044664.4

申请日：2004-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东田隆亮 ,  山本宪一 ,  末次大辅 ,  长冈美行 ,  今中崇 ,  新田敏也

IPC: H05K1/14 ,  H05K3/36

CPC classification number: H05K3/361 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/321 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/363 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/2036 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子电路的连接结构，其构成中包括电路基板(10)和柔性基板(20)，其中，在上述电路基板(10)的表面上形成了由多个导体图形构成的第1连接接合区(12)，上述柔性基板(20)包含与电路基板(10)的第1连接接合区(12)对峙地配置的第2连接接合区(24)和以包围第2连接接合区(24)的外周部的至少一部分的方式形成的绝缘层(26)，利用接合材料(30)接合第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)，而且，将绝缘层(26)的厚度形成得比第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)的合计的厚度厚。由此，可得到即使使连接接合区微细化、焊锡等的接合材料也不会流出而导致短路的电子电路的连接结构及其连接方法。

公开(公告)号：CN1551712A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044664.4

申请日：2004-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东田隆亮 ,  山本宪一 ,  末次大辅 ,  长冈美行 ,  今中崇 ,  新田敏也

IPC: H05K1/14 ,  H05K3/36

CPC classification number: H05K3/361 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/321 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/363 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/2036 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子电路的连接结构，其构成中包括电路基板(10)和柔性基板(20)，其中，在上述电路基板(10)的表面上形成了由多个导体图形构成的第1连接接合区(12)，上述柔性基板(20)包含与电路基板(10)的第1连接接合区(12)对峙地配置的第2连接接合区(24)和以包围第2连接接合区(24)的外周部的至少一部分的方式形成的绝缘层(26)，利用接合材料(30)接合第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)，而且，将绝缘层26的厚度形成得比第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)的合计的厚度厚。由此，可得到即使使连接接合区微细化、焊锡等的接合材料也不会流出而导致短路的电子电路的连接结构及其连接方法。

公开(公告)号：CN100343956C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03109545.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  新田敏也

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C03C17/23 ,  C03C19/00 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/328 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 提供一种等离子加工方法和设备及等离子加工托架，其能够提高基底的温度可控制能力。如果真空室由泵抽空同时通过气体供应部件把特定的气体引入真空室，并且通过线圈使用高频电源把高频电力施加于线圈并同时把真空室的内部维持至特定的压力，然后在真空室产生等离子体，而且放在基底电极上的基底能够进行等离子加工。在这时，通过在基底电极和基底之间设有粘合片，能够提高基底的温度可控制能力。

公开(公告)号：CN1450604A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03109545.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  新田敏也

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C03C17/23 ,  C03C19/00 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/328 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 提供一种等离子加工方法和设备及等离子加工托架，其能够提高基底的温度可控制能力。如果真空室由泵抽空同时通过气体供应部件把特定的气体引入真空室，并且通过线圈使用高频电源把高频电力施加于线圈并同时把真空室的内部维持至特定的压力，然后在真空室产生等离子体，而且放在基底电极上的基底能够进行等离子加工。在这时，通过在基底电极和基底之间设有粘合片，能够提高基底的温度可控制能力。