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    薄膜涂布装置及其方法和液体浸泡曝光装置及其方法
    2.
    发明公开
    薄膜涂布装置及其方法和液体浸泡曝光装置及其方法 无效

    公开(公告)号：CN1707360A

    公开(公告)日：2005-12-14

    申请号：CN200510076127.2

    申请日：2005-06-08

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 北端匡树 ,  今井伸一

    IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/162

    摘要： 一种薄膜涂布装置及其方法和液体浸泡曝光装置及其方法，形成不含缺陷的品质好的抗蚀图案。从液体提供源经过粒子过滤装置(9)提供的药液(3)由滴出喷嘴(6)滴出在晶片表面。该粒子过滤装置(9)和滴出喷嘴(6)之间的管线上，安装着测定药液(3)中所含的气泡或粒子等微粒子状物质的量的微粒子测定装置(13)。再有，设置了常时收集进行导管开关的电磁控制阀(10)的控制电压值及微粒子测定装置(13)的测定值进行运算的运算装置(16)。在运算装置(16)中，算出一枚晶片涂布的药液中所含的微粒子状物质的数量，通过将该微粒子状物质的数与标准值比较，进行是否停止薄膜涂布装置的判定。

    液体中的元素分析装置
    4.
    发明公开
    液体中的元素分析装置 无效 转让

    公开(公告)号：CN104204781A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201480000921.6

    申请日：2014-01-23

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 熊谷裕典 ,  今井伸一

    IPC分类号： G01N21/67

    CPC分类号： G01N21/67 ,  G01N21/69 ,  G01N2201/06113 ,  G01N2201/067 ,  G01N2201/08

    摘要： 提供能高灵敏度且以简单的结构进行液体中的元素分析的元素分析装置。本公开的元素分析装置在被液体充满的处理槽内配置由具有开口部的绝缘体覆盖的第1电极的一部分和第2电极的一部分，通过配置在第1电极与第2电极之间的电源施加电压。光检测装置检测因施加电压而产生的等离子体与液体中的元素的相互作用产生的发光光谱，进行液体所包含的元素的分析。

    半导体器件的制造装置
    5.
    发明授权
    半导体器件的制造装置 失效

    公开(公告)号：CN1134829C

    公开(公告)日：2004-01-14

    申请号：CN97191880.5

    申请日：1997-01-23

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 今井伸一 ,  二河秀夫 ,  地割信浩

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/3065

    摘要： 在半导体制造装置的反应室(7)内的下部电极(3)上的硅衬底(6)的周围配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的硅环(12)，在硅衬底(6)的上方配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的上部硅电极(5)，通过使用C2F6作为导入反应室(7)内的气体，能从制造装置工作的起始状态起有效地清除氟元素，提供与现有装置相比能够缩短半导体器件老化时间的半导体器件的制造装置。

    液体中的元素分析装置
    6.
    发明公开
    液体中的元素分析装置 无效 转让

    公开(公告)号：CN103782158A

    公开(公告)日：2014-05-07

    申请号：CN201380002834.X

    申请日：2013-05-14

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 熊谷裕典 ,  今井伸一

    IPC分类号： G01N21/67

    CPC分类号： G01J3/443 ,  G01N21/67 ,  G01N21/69

    摘要： 本发明的元素分析装置具有：能装入液体(109)，且至少一部分光学透明的处理槽(108)；配置于处理层内，被绝缘体(103)包覆的第1电极(104)；第2电极(102)；产生气泡，使得第1电极(104)的位于处理槽(108)内的表面中、至少导电体露出的表面位于气泡(106)内的气泡产生部；将产生气泡(106)所需要的量的气体从处理槽的外部供给至气泡产生部的气体供给装置(105)；在第1电极(104)与第2电极(102)之间施加电压的电源(101)；对施加了电压时所产生的等离子的发光光谱进行测定的光检测装置(110)，所述元素分析装置根据光检测装置(110)所测定的发光光谱，实施液体(109)所包含的成分的定性或定量分析。

    基板处理装置和基板处理方法
    7.
    发明公开
    基板处理装置和基板处理方法 无效

    公开(公告)号：CN101159230A

    公开(公告)日：2008-04-09

    申请号：CN200710163062.4

    申请日：2007-09-29

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 佐藤直昭 ,  今井伸一

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B37/345

    摘要： 本发明提供一种能够可靠地防止在包含铜等腐蚀性金属的配线上产生由超纯水引起的腐蚀的基板处理装置和基板处理方法。具有研磨部(2)，此研磨部(2)具有依次配置晶片，阶段性地研磨晶片表面的金属膜的多个研磨台板(P1～P3)。各研磨台板(P1～P3)间的晶片搬送由旋转头机构(4)同时进行。此外，将在最终段的研磨台板(P3)上被研磨的晶片依次搬入清洗部(3)进行清洗。从研磨部(2)向清洗部(3)的晶片搬送由装卸单元(5)、研磨后晶片反转单元(U2)和润湿机器人(R2)进行。然后，以在从最终段的研磨台板的研磨完成时刻开始的规定时间内开始对在最终段的所述研磨台板上被研磨的晶片的清洗处理的方式，由装置控制部(11)控制各部的动作。