本发明的电阻变化型的非易失性存储元件的制造方法包括：在基板（11）上形成下部电极层（2）的工序；在下部电极层（2）上形成由缺氧型的金属氧化物构成的电阻变化层（3）的工序；在电阻变化层（3）上形成上部电极层（4）的工序；以及在上部电极层（4）上形成掩模图案，并以掩模图案为掩模对上部电极层（4）、电阻变化层（3）及下部电极层（2）进行蚀刻而形成图案的工序；在蚀刻的工序中，至少在用于对电阻变化层（3）进行蚀刻的蚀刻气体中使用含有溴的气体。