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公开(公告)号：CN118865105A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833681.3
申请日：2024-06-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V20/10 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及计算机视觉目标检测领域，具体涉及一种全景目标检测方法、装置及计算机装置。本发明的全景目标检测方法包括利用平面图像数据集构建全景图像数据集；对全景图像数据集进行标注：根据平面图像的目标掩码标注计算目标的最小外接凸多边形，将平面图像的目标最小外接凸多边形投影到球面上，得到ERP表征中目标的最小外接凸多边形，利用球面旋转卡壳算法，根据球面目标的最小外接凸多边形，计算得到球面目标的包围框标注，对于镜像填充的图像部分中不能完整包含的目标不计算包围框；选择全景目标检测的卷积神经网络模型进行训练；对模型的性能评估。本发明适用于全景目标检测。
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公开(公告)号：CN120047935A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411950715.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V20/64 , G06V10/25 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G06N3/0455
Abstract: 本发明涉及自适应优化BEV特征的3D目标检测方法、装置、计算机设备及可存储介质。本自适应优化BEV特征的3D目标检测方法包括从Nuscenes数据集中获取环视图像数据；利用特征提取骨干网络对环视图像进行特征提取，得到图像特征；将图像特征升维至BEV空间，压缩z轴得到BEV特征；在BEV空间中均匀设置N个待查询的3D query box，将候选框投影至BEV平面得到2D旋转框，提取2D旋转框内的BEV特征作为先验特征，使用query box的中心点作为查询点，利用相机参数将查询点投影至图像特征平面插值得到对应的查询特征，在通道层面融合先验特征与查询特征；利用融合特征预测perd box和标签得分label，在得分前k个pred box的6个面的中心手工生成优化点，加上偏移后使用其对应的融合特征优化更新BEV特征，将优化后的BEV特征送入定位检测头和分类检测头，分别3D物体边界框和预测出物体类别。本发明优点：极大地提升了环视图像的3D目标检测的准确度。
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公开(公告)号：CN103530680B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310422644.5
申请日：2013-09-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种双频射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明包括基体、标签天线和标签芯片，标签天线和标签芯片均设置在基体上；所述标签天线设置有一中心线，且包括HF线圈天线和UHF天线，UHF天线关于中心线轴对称设置；所述的标签芯片包括HF标签芯片和UHF标签芯片，且HF标签芯片和UHF标签芯片均设置在馈电点上；HF线圈天线包括金属天线线圈、天线过桥；UHF天线包括主辐射体、微带馈线；金属天线线圈的内端通过天线过桥与馈电点相连接，外端直接与馈电点相连接；微带馈线的两端与主辐射体相连接。本发明通过集成UHF标签天线和HF标签天线，降低UHF和HF标签同时应用的成本，提高应用效率。
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公开(公告)号：CN103762241A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410005377.6
申请日：2014-01-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/4232 , H01L29/4236
Abstract: 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI？LDMOS单元。常规SOI？LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI？LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。
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公开(公告)号：CN103715920A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310676970.9
申请日：2013-12-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片。一种整流电路的射频识别标签芯片包括的整流电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2；其中第二电容C2为负载电容，第二电阻R2为负载电阻，均用来表征整流电路的负载。本发明通过采用静态阈值消除技术降低反向漏电流来大大提高整流电路的工作效率。该整流电路电路结构简单，几乎不增加芯片面积和额外功耗；因此，该整流电路的能量转换损失小，工作效率得到大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103559533A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310423481.2
申请日：2013-09-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明的射频识别系统包括一个或多个射频识别标签。射频识别标签包括基体、标签天线和标签芯片；所述的标签天线和标签芯片设置在基体上；标签天线设置有中心线，且通过中心线轴对称，标签天线包括第一主辐射体、第二主辐射体和第三主辐射体；第一主辐射体、第二主辐射体均为块状，设置在中心线上；第二主辐射体对应设置在第一主辐射体的下方；两个第三主辐射体为块状，分别设置在第一主辐射体的两侧，且两个第三辐射体关于中心线轴对称；标签芯片设置在馈电点处。本发明既实现RFID标签的抗金属特性，又能降低抗金属RFID标签的成本。
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公开(公告)号：CN103530680A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310422644.5
申请日：2013-09-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种双频射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明包括基体、标签天线和标签芯片，标签天线和标签芯片均设置在基体上；所述标签天线设置有一中心线，且包括HF线圈天线和UHF天线，UHF天线关于中心线轴对称设置；所述的标签芯片包括HF标签芯片和UHF标签芯片，且HF标签芯片和UHF标签芯片均设置在馈电点上；HF线圈天线包括金属天线线圈、天线过桥；UHF天线包括主辐射体、微带馈线；金属天线线圈的内端通过天线过桥与馈电点相连接，外端直接与馈电点相连接；微带馈线的两端与主辐射体相连接。本发明通过集成UHF标签天线和HF标签天线，降低UHF和HF标签同时应用的成本，提高应用效率。
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公开(公告)号：CN103762241B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410005377.6
申请日：2014-01-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。
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公开(公告)号：CN103559533B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310423481.2
申请日：2013-09-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明的射频识别系统包括一个或多个射频识别标签。射频识别标签包括基体、标签天线和标签芯片；所述的标签天线和标签芯片设置在基体上；标签天线设置有中心线，且通过中心线轴对称，标签天线包括第一主辐射体、第二主辐射体和第三主辐射体；第一主辐射体、第二主辐射体均为块状，设置在中心线上；第二主辐射体对应设置在第一主辐射体的下方；两个第三主辐射体为块状，分别设置在第一主辐射体的两侧，且两个第三辐射体关于中心线轴对称；标签芯片设置在馈电点处。本发明既实现RFID标签的抗金属特性，又能降低抗金属RFID标签的成本。
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公开(公告)号：CN203706243U
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201320816549.9
申请日：2013-12-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K19/07
Abstract: 本实用新型公开了一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片。一种整流电路的射频识别标签芯片包括的整流电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2；其中第二电容C2为负载电容，第二电阻R2为负载电阻，均用来表征整流电路的负载。本实用新型通过采用静态阈值消除技术降低反向漏电流来大大提高整流电路的工作效率。该整流电路电路结构简单，几乎不增加芯片面积和额外功耗；因此，该整流电路的能量转换损失小，工作效率得到大大提高。
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