公开(公告)号：CN103715920A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310676970.9

申请日：2013-12-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王彬 ,  张永生 ,  吕经纬

IPC: H02M7/217 ,  G06K19/07

Abstract: 本发明公开了一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片。一种整流电路的射频识别标签芯片包括的整流电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2；其中第二电容C2为负载电容，第二电阻R2为负载电阻，均用来表征整流电路的负载。本发明通过采用静态阈值消除技术降低反向漏电流来大大提高整流电路的工作效率。该整流电路电路结构简单，几乎不增加芯片面积和额外功耗；因此，该整流电路的能量转换损失小，工作效率得到大大提高。

公开(公告)号：CN103559533A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310423481.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王彬 ,  张永生 ,  吕经纬

IPC: G06K19/077 ,  G06K7/00

Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明的射频识别系统包括一个或多个射频识别标签。射频识别标签包括基体、标签天线和标签芯片；所述的标签天线和标签芯片设置在基体上；标签天线设置有中心线，且通过中心线轴对称，标签天线包括第一主辐射体、第二主辐射体和第三主辐射体；第一主辐射体、第二主辐射体均为块状，设置在中心线上；第二主辐射体对应设置在第一主辐射体的下方；两个第三主辐射体为块状，分别设置在第一主辐射体的两侧，且两个第三辐射体关于中心线轴对称；标签芯片设置在馈电点处。本发明既实现RFID标签的抗金属特性，又能降低抗金属RFID标签的成本。

公开(公告)号：CN103559533B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310423481.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王彬 ,  张永生 ,  吕经纬

IPC: G06K19/077 ,  G06K7/00

Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签以及包括该标签的射频识别系统。本发明的射频识别系统包括一个或多个射频识别标签。射频识别标签包括基体、标签天线和标签芯片；所述的标签天线和标签芯片设置在基体上；标签天线设置有中心线，且通过中心线轴对称，标签天线包括第一主辐射体、第二主辐射体和第三主辐射体；第一主辐射体、第二主辐射体均为块状，设置在中心线上；第二主辐射体对应设置在第一主辐射体的下方；两个第三主辐射体为块状，分别设置在第一主辐射体的两侧，且两个第三辐射体关于中心线轴对称；标签芯片设置在馈电点处。本发明既实现RFID标签的抗金属特性，又能降低抗金属RFID标签的成本。

公开(公告)号：CN203706243U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201320816549.9

申请日：2013-12-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王彬 ,  张永生 ,  吕经纬

IPC: G06K19/07

Abstract: 本实用新型公开了一种整流电路以及包括该整流电路的射频识别标签芯片。一种整流电路的射频识别标签芯片包括的整流电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电容C1、第三PMOS晶体管、第一电阻R1、第二电容C2、第二电阻R2；其中第二电容C2为负载电容，第二电阻R2为负载电阻，均用来表征整流电路的负载。本实用新型通过采用静态阈值消除技术降低反向漏电流来大大提高整流电路的工作效率。该整流电路电路结构简单，几乎不增加芯片面积和额外功耗；因此，该整流电路的能量转换损失小，工作效率得到大大提高。