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公开(公告)号：CN119545833A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411516715.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于人工神经元器件领域，为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题，本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法，包括以下步骤：制备单层/少层二硫化硒薄沟道；蒸镀Se/Au电极制作P型WSe2晶体管；蒸镀Bi/Au电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接；本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线，并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率，证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。
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公开(公告)号：CN114318227B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111643180.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣纳米片周期性阵列制备方法，通过将胶体球模板、物理沉积技术以及光照催化相结合，从而能够更加容易的设计，片状、线状、多层以及具有更大比表面积和更小尺度缝隙的图纹化基底，有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度和基底的催化效率，得到的花瓣纳米片周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有强的局域表面等离激元和大的表面积优异性能。
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公开(公告)号：CN113957527A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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公开(公告)号：CN113671800A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
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公开(公告)号：CN110849514B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110849514A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN115036379B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210566289.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。同时该探测器具有良好的环境稳定性，且所用原料绿色环保，所用设备简单，制备容易，成本低廉，易于大规模制备。
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公开(公告)号：CN113174639B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110365281.0
申请日：2021-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种掺锡二维硫化钼及其制备方法、应用，该制备方法简单易行、可控，按本发明提供的技术方案解决了一种锡掺杂二维硫化钼材料的制备问题，包括安全廉价的制备设备及反应原料获得，简易可行的全程无污染的工艺流程，所获得的材料厚度小于10nm，并且保留了母相的晶体结构，无第二相或合金化，掺杂后二维硫化钼材料光电性能的显著提升，为纳米电子器件和光电功能器件的潜在应用提供了材料基础，符合未来工业化生产需要。
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公开(公告)号：CN113488559B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110754311.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。
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公开(公告)号：CN115241380A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210782176.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L51/44 , H01L51/48 , C08F120/14
Abstract: 本发明涉及ITO柔性电极在柔性太阳能电池应用领域，具体涉及电化学原位聚合ITO太阳能电池电极及其制备方法。为同时解决柔性电极的脆性、电导率和透明度的问题，本发明在ITO电极上电化学原位聚合高分子，制备集热稳定、高导电率、透明和柔性等优点一体的ITO@polymer电极。本发明提供的电化学原位聚合ITO太阳能电池电极，包括透明柔性底衬层，ITO层，所述ITO层覆盖在所述透明柔性底衬层上，还包括位于ITO层非结晶部分的高分子聚合物。本发明提供的产品为柔性有机太阳能电池行业，提供了同时获得集高透光率、高导电率和柔性等优点一体的电极。
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