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公开(公告)号：CN113957527B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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公开(公告)号：CN113465490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN114222493A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111605726.4
申请日：2021-12-25
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2Tx Mxene；第二步通过带正电荷的PEDOT分子链与Mxene表面极性官能团的静电作用，将PEDOT分子链均匀地堆积在Mxene平面两侧制备，制得Mxene与PEDOT复合膜。本方法制备的膜，实现了更高的屏蔽效果和断裂伸长率，其电磁屏蔽效应达80dB和断裂伸长率提高3倍，可应用于微波暗室、可穿戴式电磁防护方面。
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公开(公告)号：CN113465490A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN113671800B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
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公开(公告)号：CN113793762B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111049578.2
申请日：2021-09-08
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，包括以下步骤：(1)制备表面生长有一维ZnO纳米阵列的碳布；(2)制备表面生长有分级核壳ZnO纳米阵列的碳布；(3)制备分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料。本发明的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，工艺步骤简单，可操作性强，得到的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料稳定性与电容性能好，为功能纳米材料的工业化生产与储能应用提供了可行性路线与理论基础与理论依据。
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公开(公告)号：CN113793762A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111049578.2
申请日：2021-09-08
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，包括以下步骤：(1)制备表面生长有一维ZnO纳米阵列的碳布；(2)制备表面生长有分级核壳ZnO纳米阵列的碳布；(3)制备分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料。本发明的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，工艺步骤简单，可操作性强，得到的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料稳定性与电容性能好，为功能纳米材料的工业化生产与储能应用提供了可行性路线与理论基础与理论依据。
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公开(公告)号：CN113409983A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110706735.6
申请日：2021-06-24
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种柔性可拉伸电极及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为三维骨架，搭载在CNF表面的C微纳粒子及溶解的Na+或K+、Cl+离子为共同导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，将导电凝胶注入到弹性基体内进行包覆，即可得到柔性的可拉伸电极，本发明制备的可拉伸电极材料解决了柔性电子领域中传统金属电极延展性差的难题，使其具备与电子器件工作模块相匹配的可拉伸能力，达到元器件整体柔性化的技术要求，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN111961221A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010920147.8
申请日：2020-09-04
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C08H7/00
摘要： 本发明公开了一种改性木质素及其制备方法，S10，在20—40℃下，将木质素与油酸甲酯以1:0.5～0.8的摩尔比混合；S20，倒入行星球磨机的4个100mL氧化锆球磨罐中；S30，加入混合物总量3～5wt％的氢氧化钾作为碱性催化剂；S40，行星球磨机运行模式为双向，频率为50Hz且每隔15分钟转换转向一次；S50，球磨80～110分钟，将与油酸甲酯发生酯交换后的改性木质素从行星球磨机中倒出分离。本发明通过高能球磨法，在无溶剂的条件下对木质素进行化学改性，木质素机械化学改性反应条件更简单、反应效率更高。
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公开(公告)号：CN113957527A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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