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公开(公告)号：CN110455419B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4‑8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN110455419A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4-8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN117917400A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311358998.8
申请日：2023-10-19
IPC: C07D215/58 , A61P31/06 , A61K31/47 , A61K31/5377 , A61K31/496
Abstract: 本发明提供了一种具有式(I)所示结构的2‑甲基‑4‑喹啉酮类化合物或者其药学上可接受的盐或者其立体异构体或者其前药分子，及其药物组合物和应用。该类化合物可以高效抑制Cyt‑bd的活性，可用于制备防治结核病的药物，并且可与Cyt‑bcc抑制剂产生协同抗结核的效果。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117510470A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210891299.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C07D401/14 , C07D401/06 , C07D471/22 , C07D405/14 , C07D487/04 , A61P35/00 , A61K31/501 , A61K31/504 , A61K31/5377
Abstract: 本发明提供了一种具有式(I)所示结构的哒嗪酮类化合物或者其药学上可接受的盐或者其立体异构体及其应用。本发明的哒嗪酮类化合物能够有效抑制c‑Met、TRK和AXL等激酶的活性并且能抑制多种肿瘤细胞及其耐药细胞的增殖、迁移和侵袭，能够用于制备预防和/或治疗各种恶性肿瘤的药物。
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公开(公告)号：CN115985995B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110305019A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910756048.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 暨南大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/03
Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160-200℃下加热24-48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n-1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。
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公开(公告)号：CN115985995A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN114420846B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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公开(公告)号：CN114420846A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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公开(公告)号：CN116232798B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310068475.3
申请日：2023-02-06
Applicant: 暨南大学
Inventor： 周洋
IPC: H04L12/40 , H04L67/133
Abstract: 本发明属于汽车电子信息技术领域，公开了一种跨平台操控多种CAN总线设备的方法、系统、设备及终端，远程调用和本地调用两种方式，采用gRPC服务器框架构建一CAN服务器对多种CAN总线设备进行远程调用，或直接对多种CAN总线设备进行调用。具体过程包括：启动CAN服务器；输入通道参数；选择是否连接远程服务器；调用通道参数相应的API打开设备；设置过滤器；开启通道进行报文收发；关闭通道。本发明公开的方法兼容了不同的CAN卡，并且功能接口高度统一化，节省了因更改不同的CAN卡带来的软件或者脚本带来的迁移成本，提高复用率，节省了开发过程中的人力成本。另外通过网络进行远程调用解决了设备公用问题，提高CAN卡利用率，节约成本。
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