公开(公告)号：CN110305019A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910756048.8

申请日：2019-08-15

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘彭义 ,  林东旭 ,  庞娜娜 ,  刘小畅 ,  王云庆 ,  陈科 ,  时婷婷 ,  周洋 ,  谢伟广

IPC: C07C209/00 ,  C07C211/04 ,  C07C211/03

Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160-200℃下加热24-48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n-1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。

公开(公告)号：CN110305019B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201910756048.8

申请日：2019-08-15

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘彭义 ,  林东旭 ,  庞娜娜 ,  刘小畅 ,  王云庆 ,  陈科 ,  时婷婷 ,  周洋 ,  谢伟广

IPC: C07C209/00 ,  C07C211/04 ,  C07C211/03

Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160‑200℃下加热24‑48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n‑1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。

公开(公告)号：CN114613913A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210240999.1

申请日：2022-03-10

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  林东旭 ,  庞娜娜 ,  黄子熠 ,  陈科 ,  刘彭义

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种甲脒铅碘基(FAPbI3)钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1.得到预处理后的导电基底；S2.形成电子传输层；S3.在电子传输层表面制备FAPbI3钙钛矿前驱薄膜；S4.将FAPbI3钙钛矿前驱薄膜放置于湿度≥70％的环境中，形成纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜；S5.将纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜进行热退火处理形成纯黑色相的FAPbI3钙钛矿薄膜；S6.形成空穴传输层；S7.形成电极，得到甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池。本发明采用气相法制备纯FAPbI3钙钛矿作为光吸收层，避免了引入溶剂、甲胺、铯等元素产生的副作用，得到的器件光电转换效率高。

公开(公告)号：CN112436090A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011183972.0

申请日：2020-10-29

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  林东旭 ,  庞娜娜 ,  徐鑫 ,  时婷婷 ,  刘彭义

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于气相法调控钙钛矿薄膜结构的方法。本发明采用混合蒸气法，将镀有PbI2的衬底倒扣在MAI和其他有机胺盐的混合粉末上，在10～1000Pa、150～180℃下反应30～400min，得到不同结构的钙钛矿薄膜。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产。

公开(公告)号：CN114420846B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210058299.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 广东食品药品职业学院 ,  暨南大学

Inventor： 陈秋兰 ,  赖浩杰 ,  谢伟广 ,  周洋 ,  刘虔铖 ,  金浩宇 ,  庞娜娜 ,  郭静玉

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。

公开(公告)号：CN114420846A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210058299.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 广东食品药品职业学院 ,  暨南大学

Inventor： 陈秋兰 ,  赖浩杰 ,  谢伟广 ,  周洋 ,  刘虔铖 ,  金浩宇 ,  庞娜娜 ,  郭静玉

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。

公开(公告)号：CN114613913B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202210240999.1

申请日：2022-03-10

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  林东旭 ,  庞娜娜 ,  黄子熠 ,  陈科 ,  刘彭义

IPC: H10K71/16 ,  H10K85/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种甲脒铅碘基(FAPbI3)钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1.得到预处理后的导电基底；S2.形成电子传输层；S3.在电子传输层表面制备FAPbI3钙钛矿前驱薄膜；S4.将FAPbI3钙钛矿前驱薄膜放置于湿度≥70％的环境中，形成纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜；S5.将纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜进行热退火处理形成纯黑色相的FAPbI3钙钛矿薄膜；S6.形成空穴传输层；S7.形成电极，得到甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池。本发明采用气相法制备纯FAPbI3钙钛矿作为光吸收层，避免了引入溶剂、甲胺、铯等元素产生的副作用，得到的器件光电转换效率高。