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公开(公告)号：CN117918831A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410104083.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
IPC: A61B5/145 , A61B5/1455 , A61B5/00 , G16H50/30 , G06N20/00
Abstract: 本申请提供一种基于特征优化的机器学习血糖无创检测方法，系统及模型，所述方法通过采集一段时间内光传感器检测到的连续PPG波形，使用python代码读取csv文件，遍历csv文件中PPG波形上每一个关键点，获取该段时间内PPG波形上所有相同类型的PPG波形信号的特征后对其取平均，并将取平均后的特征整合成一组PPG特征数据，将所述PPG特征数据输入至梯度提升决策树模型评估以获得最终血糖无创检查结果。本发明通过优先对采集的PPG波形进行处理，将连续的PPG波形数据转化为一组稳定和可靠的特征数据，然后通过梯度提升决策树模型进行评估，从而实现精准的血糖无创检测，有效提高特征选择和提取的准确性、模型的训练和优化、数据质量和标签的准确性。
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公开(公告)号：CN114545031B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210134118.8
申请日：2022-02-14
Abstract: 本申请涉及一种原子力显微镜探针的品质因数调整方法和装置，所述方法通过获取第一曲线和第二曲线；第一曲线为根据探针的品质因数，以及第一音叉臂的第一附加物和第二音叉臂的第二附加物的质量差值得到；第二曲线为根据质量差值以及第二附加物的腐蚀时间得到；获取探针的当前品质因数，并根据当前品质因数和第一曲线，得到当前质量差值；根据当前质量差值和第二曲线，得到第二附加物的目标腐蚀时间；根据目标腐蚀时间对第二附加物进行处理，得到目标探针。该方法通过多次腐蚀微调，使第二附加物的质量非常接近第一附加物，从而起到提高探针品质因数的作用。探针是原子力显微镜的一个重要部件，探针品质因数的提高对于原子力显微镜具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113092825B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110246800.1
申请日：2021-03-05
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本申请涉及一种原子力显微镜系统及其电流检测方法，在基于导电针尖自感应探针的原子力显微镜系统中，首先对导电针尖自感应探针施加探针激励信号使其进入振动工作模式进行待测样品当前位置的形貌扫描操作。之后将导电针尖自感应探针切换为静态工作模式实现待测样品当前位置的电压‑电流测量操作，最后将导电针尖自感应探针移动到下一位置进行下一位置的检测。上述方案，在进行原子力显微镜形貌扫描的同时，实现局域电阻、或电流的测量或成像。这样，既有动态原子力显微镜形貌成像的优点，即对样品的作用力较小，成像效果好，又有接触原子力显微镜电流测量的优点，可施加较大的斥力作用，可获得稳定可靠的形貌成像和电流测量。
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公开(公告)号：CN109928427B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109962164A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910231667.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种恒温气体处理装置、包含有三维‑二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法，该制备方法通过正丁胺饱和蒸气对三维钙钛矿薄膜表面进行处理，快速形成表面二维钙钛矿薄层。基于该方法的太阳能电池包括导电衬底FTO、电子传输层、三维钙钛矿层，二维钙钛矿层、空穴传输层、电极。本发明的该方法采用气固反应，方法简单且过程可控性良好，成本低廉。同时处理过程温度低，不需要昂贵的真空设备，可进行大规模处理，适合大面积工业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109605987A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811374022.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 暨南大学
IPC: B43K29/00
Abstract: 本发明属于手写笔领域，涉及一种自发热暖手笔及其组装方法。暖手笔包括笔壳、发热电路系统和笔芯。发热电路系统包括发热模块、供电模块和充放电保护模块，供电模块为发热模块提供电源，使发热模块的发热片能够产生热量，充放电保护模块内的电源输入接口的正负极对应连接供电模块的正负极，充放电保护模块内的电源输出接口连接发热模块的发热片电极，通电后发热片产生热量。发热电路系统能够给手写笔提供充电、供电、电路保护以及产热等功能，从而实现在寒冷天气手写笔能够自发热暖手保健，提高写字的舒适度。本发明可改善人们在严寒季节里写字而冻伤手问题，具有构造简单、温暖舒适、安全可靠和价格低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109449247A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10-4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN109246860A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811136644.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现在显微镜下原位、动态观察材料的高温装置。该高温装置包括主腔体、设置于主腔体内的内腔体、加热单元、通气单元以及抽真空单元；主腔体上设置有用于观察的窗口；加热单元、通气单元以及抽真空单元分别与内腔体连接；加热单元用于为内腔体提供高温环境；通气单元用于为内腔体通气；抽真空单元用于将内腔体抽真空。该高温装置体积小，能满足材料生长的高温、通气以及真空条件，设有观察窗口，可在显微镜下观察材料的高温动态过程。
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公开(公告)号：CN105720197B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610094507.7
申请日：2016-02-19
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法，其中所述光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中，该杂化光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触，有效缩短了光生载流子传输路径，提高分离效率，通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层，而且还是光生载流子的产生和传输层，空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。本发明的光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN105350078A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510763073.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料与器件制备技术领域，公开了一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法。该方法包括以下步骤：称取一定量的卤化铅和甲基卤化铵，混合，然后加入1,4-丁内脂，溶解，得钙钛矿溶液；然后将所得钙钛矿溶液加入到一定量的有机溶剂中，析出得钙钛矿晶体。本发明通过溶液抽提的方式快速析出钙钛矿晶体，该方法简单易行，重复性好，对外界要求不高，而且还可以根据实际需求选择不同的有机溶剂生长得到不同尺寸大小的单晶颗粒，其晶体晶粒尺寸最大可达几十微米尺度，使得其在制作光电器件等方面具有更大的优势。
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