公开(公告)号：CN109928427A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910216725.7

申请日：2019-03-21

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  赖浩杰 ,  何锐辉 ,  陈科球 ,  罗佳玉 ,  刘彭义

IPC: C01G39/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540-600℃的大气环境下保持5-20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。

公开(公告)号：CN109928427B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201910216725.7

申请日：2019-03-21

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  赖浩杰 ,  何锐辉 ,  陈科球 ,  罗佳玉 ,  刘彭义

IPC: C01G39/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。