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公开(公告)号：CN109928427B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109449247A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10-4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN109449247B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10‑4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN109928427A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540-600℃的大气环境下保持5-20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109402574A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811463202.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108996918A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810833370.1
申请日：2018-07-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米NiOx电致变色薄膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：首先通过化学沉淀法制备了由NiOx纳米纳米晶粉体，然后将制备的粉末均匀分散于低沸点溶液中，得到NiOx纳米晶墨水，再采用旋涂法和低温退火制备所述纳米NiOx电致变色薄膜。本发明制备的纳米NiOx电致变色薄膜在低温退火成膜且无需惰性气体保护，极大减少制作成本。薄膜成膜均匀性好、光学透过率调制范围宽、响应时间快、循环稳定性良好，可应用于各类电致变色器件领域。
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公开(公告)号：CN109402574B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811463202.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN107663648B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710800117.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃，维持1小时以上，然后冷却至350‑550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30‑90℃反应10‑180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。
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公开(公告)号：CN107663648A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710800117.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580-880℃，维持1小时以上，然后冷却至350-550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30-90℃反应10-180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。
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公开(公告)号：CN107190319A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710350244.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将三氧化钼粉末通过再结晶形成三氧化钼晶体。(2)将三氧化钼晶体粘贴于胶带上。(3)将胶带粘贴于平整衬底上，挤压其中的气泡，贴实，然后撕开，使部分三氧化钼晶体紧贴于衬底上。(4)将粘附有三氧化钼的衬底浸泡于碱性溶液中8～20s，取出迅速吹干，即可在衬底表面获得大面积少层三氧化钼纳米片。本发明结合了机械剥离法和溶液插层法的优点，可以获得大面积少层三氧化钼纳米片，且制作工艺简单快捷。制备的三氧化钼晶体可用于光电器件领域。
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