公开(公告)号：CN116111572A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211267523.3

申请日：2022-10-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关远鹏 ,  庞允聪 ,  郑杰 ,  赵立恒 ,  王雨

IPC: H02J1/10 ,  H02M3/04 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供一种耦合电感型直流集电系统的控制方法，该方法包括将耦合电感型直流集电系统的各个子模块通过低压侧分散接入各组波浪能发电装置，其高压侧串联接入高压直流总线；在每个子模块加入n‑1个受控电压源与耦合电感串联连接，通过建立耦合电感解耦网络消除高压侧串联电压、低压侧电流和电感耦合效应对输出量的影响，得到不含干扰量的调制信号占空比，对子模块中的开关管进行控制。本发明所提出的控制方法中加入电流控制回路，并通过前馈校正回路消除了当存在扰动时电感耦合作用对占空比信号的不利影响，增强了直流集电系统的稳定性。

公开(公告)号：CN107663648B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710800117.1

申请日：2017-09-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  何锐辉 ,  王雨

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃，维持1小时以上，然后冷却至350‑550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30‑90℃反应10‑180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。

公开(公告)号：CN107663648A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710800117.1

申请日：2017-09-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  何锐辉 ,  王雨

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B29/68

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580-880℃，维持1小时以上，然后冷却至350-550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30-90℃反应10-180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。

公开(公告)号：CN115954856A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211266957.1

申请日：2022-10-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关远鹏 ,  庞允聪 ,  王雨 ,  赵立恒 ,  郑杰 ,  肖轶婷

IPC: H02J1/10 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供一种大型波浪能发电装置的直流汇集组网系统及其控制方法，该方法包括对接入各个子模块的波浪能发电装置及其整流器的类型和信号接口进行识别；当子模块接入的类型为不控整流时，根据控制策略产生第一调制信号，对子模块中的开关管进行控制；当子模块接入的类型为PWM整流或负载时，根据控制策略产生第二调制信号，对子模块中的开关管进行控制。本发明提出的直流集电系统及其环路切换控制策略能够识别波浪能发电机组及其整流电路的形式和接口类型，并适应不同类型的波浪能发电机组及其整流形式，能够实现低压侧串联电压稳压控制、波浪能发电机转速控制和占空比信号解耦功能，控制回路更简单，整体性能更好。

公开(公告)号：CN105789030A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610144011.6

申请日：2016-03-14

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  王雨

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02557 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。本发明利用物理气相沉积的方法制备三氧化钼二维原子晶体，该方法无需任何催化剂、不需要任何载气，并且有着低成本、制备工艺简单、制备流程无毒、快速高效的优点，而且对外界环境要求不高，可以获得大尺寸、层数可控的三氧化钼二维原子晶体。