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公开(公告)号：CN117918831A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410104083.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
IPC: A61B5/145 , A61B5/1455 , A61B5/00 , G16H50/30 , G06N20/00
Abstract: 本申请提供一种基于特征优化的机器学习血糖无创检测方法，系统及模型，所述方法通过采集一段时间内光传感器检测到的连续PPG波形，使用python代码读取csv文件，遍历csv文件中PPG波形上每一个关键点，获取该段时间内PPG波形上所有相同类型的PPG波形信号的特征后对其取平均，并将取平均后的特征整合成一组PPG特征数据，将所述PPG特征数据输入至梯度提升决策树模型评估以获得最终血糖无创检查结果。本发明通过优先对采集的PPG波形进行处理，将连续的PPG波形数据转化为一组稳定和可靠的特征数据，然后通过梯度提升决策树模型进行评估，从而实现精准的血糖无创检测，有效提高特征选择和提取的准确性、模型的训练和优化、数据质量和标签的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117918833A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410104269.8
申请日：2024-01-25
Applicant: 暨南大学 , 广东食品药品职业学院
IPC: A61B5/1455 , C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/18
Abstract: 本申请提供一种基于光电容积脉搏波描记法的钙钛矿无创血糖检测传感器，传感器的吸光层在受到光辐射时，吸收光子产生激子，并分别向两侧的金属电极和玻璃电极扩散形成电势差，通过这个电势差，传感器内部形成了闭合回路，以进一步进行血糖检测和分析。本发明在传统铅基的钙钛矿中掺入与PbI2同比例的SnI2，减小其带隙；同时，在吸光层与传输层间增加了一层保护层，不仅可以钝化钙钛矿，减少表面非辐射复合损失，同时由于其薄膜光滑、晶粒大、可以完全覆盖钙钛矿吸光层，因此可以作为自封装层隔绝外界水氧的侵入。传感器具有强稳定性，在大气环境、在高光强持续照射下仍旧能够保持优异的光电特性，相比现有的血糖检测更加灵敏，精准和科学。
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公开(公告)号：CN109950321B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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公开(公告)号：CN115985995B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN115985995A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN109950321A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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