公开(公告)号：CN114666978A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210431889.3

申请日：2017-12-21

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 沈唐伊 ,  山田薰平 ,  川守崇司 ,  正木刚史

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  C08L21/00 ,  H05K1/18 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  H05K3/38 ,  B32B15/06 ,  H05K3/06 ,  C08L101/00

Abstract: 本申请公开一种带金属箔的伸缩性构件，其具备：伸缩性树脂基材、和设置在伸缩性树脂基材上的导电性的金属箔。金属箔的伸缩性树脂基材侧的表面为具有0.1～3μm的表面粗糙度Ra的粗化面。

公开(公告)号：CN115698208A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180037769.9

申请日：2021-11-15

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 田中彻 ,  川守崇司 ,  松永昌大 ,  藤安阳介

IPC: C09J4/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明公开了一种黏合剂套组。该黏合剂套组具备：主剂，含有解络剂；及引发剂，含有有机硼烷络合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有具有自由基聚合性基团的化合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有聚合控制剂。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有过氧化物。

公开(公告)号：CN115803409A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202080101334.1

申请日：2020-11-17

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 田中彻 ,  川守崇司 ,  松永昌大 ,  藤安阳介

IPC: C09J11/04 ,  C09J4/00

Abstract: 本发明公开了一种黏合剂套组。该黏合剂套组具备：主剂，含有解络剂；及引发剂，含有有机硼烷络合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有具有自由基聚合性基团的化合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有具有硫代羰基硫结构的化合物。

公开(公告)号：CN113840891A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080036919.X

申请日：2020-05-20

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其包括：对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序；以及对临时固定用层叠体从支撑基板的背面侧照射光，由此将半导体部件从支撑基板分离的工序。对多个被照射区域依次照射光，各个被照射区域包含背面的部分。从与背面垂直的方向观察时，相邻的被照射区域彼此一部分重叠，且将多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

公开(公告)号：CN113169038A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077968.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 西户圭祐 ,  宫泽笑 ,  大山恭之 ,  川守崇司 ,  赤须雄太 ,  白坂敏明 ,  铃木直也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。

公开(公告)号：CN112106450A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980030605.6

申请日：2019-05-08

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 沈唐伊 ,  正木刚史 ,  川守崇司 ,  小川祯宏

IPC: H05K1/02 ,  C08L21/00 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明公开一种伸缩性配线基板，包括伸缩性树脂膜及设置于伸缩性树脂膜上的导体层。伸缩性树脂膜含有橡胶成分及填料。橡胶成分可经交联。

公开(公告)号：CN115668446A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035652.7

申请日：2021-05-21

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  大山恭之 ,  榎本哲也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  B32B15/08

Abstract: 本发明公开一种用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用层叠膜的制造方法。该临时固定用层叠膜的制造方法具备如下工序：在金属箔的一面侧设置第1固化性树脂层且在所述金属箔的另一面侧设置第2固化性树脂层以获得临时固定用层叠膜。并且，本发明还公开用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用层叠膜。该临时固定用层叠膜依次具备第1固化性树脂层、金属箔及第2固化性树脂层。

公开(公告)号：CN113169058A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078058.9

申请日：2019-11-27

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 宫泽笑 ,  稻叶贵一 ,  川守崇司 ,  大山恭之 ,  西户圭祐

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备依次层叠有支撑部件、吸收光而产生热的临时固定材料层及半导体部件的层叠体；及分离工序，对层叠体中的临时固定材料层照射光，而从支撑部件分离半导体部件。该制造方法中，临时固定材料层具有吸收光而产生热的光吸收层和含有固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层，固化性树脂成分含有烃树脂，固化性树脂成分的固化物在25℃下的储能模量为5～100MPa。

公开(公告)号：CN112088089A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030870.4

申请日：2019-05-10

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 小川祯宏 ,  正木刚史 ,  川守崇司 ,  沈唐伊

IPC: B32B15/08 ,  C08K5/00 ,  C08K5/10 ,  C08L21/00 ,  C08L63/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09

Abstract: 一种导体基板，具有伸缩性树脂层；以及导体箔，设置于伸缩性树脂层上。伸缩性树脂层包含树脂组合物的硬化物，所述树脂组合物含有(A)橡胶成分、(B)具有环氧基的交联成分及(C)酯系硬化剂。