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发明公开
制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体审中-实审

公开(公告)号：CN113169038A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077968.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 西户圭祐 , 宫泽笑 , 大山恭之 , 川守崇司 , 赤须雄太 , 白坂敏明 , 铃木直也 , 早坂刚

IPC: H01L21/02 , H01L21/301

Abstract: 本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。

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