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公开(公告)号:CN113169038A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980077968.5
申请日:2019-11-28
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/301
Abstract: 本发明公开有一种制造半导体装置的方法,其依次具备:加工工序,对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工;以及分离工序,对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光,由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90%以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1%以下。
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公开(公告)号:CN115335981A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202080099064.5
申请日:2020-07-28
Applicant: 昭和电工材料株式会社
Abstract: 本发明所涉及的半导体封装件的制造方法包括:(A)在包含多个半导体封装件的板部件的第一表面且电路露出面形成临时固定材料层的工序;(B)对板部件的第二表面黏贴压敏胶黏剂膜的工序;(C)将压敏胶黏剂膜上的板部件及临时固定材料层单片化为多个带临时固定材料片的半导体封装件的工序;(D)以相邻的带临时固定材料片的半导体封装件的间隔成为0.1mm以上的方式,在支撑载体上配置多个带临时固定材料片的半导体封装件的工序;(E)从支撑载体及多个带临时固定材料片的半导体封装件剥离压敏胶黏剂膜的工序;及(F)在多个带临时固定材料片的半导体封装件的表面上形成功能层的工序。
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