公开(公告)号：CN113840891A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080036919.X

申请日：2020-05-20

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其包括：对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序；以及对临时固定用层叠体从支撑基板的背面侧照射光，由此将半导体部件从支撑基板分离的工序。对多个被照射区域依次照射光，各个被照射区域包含背面的部分。从与背面垂直的方向观察时，相邻的被照射区域彼此一部分重叠，且将多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

公开(公告)号：CN113169038A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077968.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 西户圭祐 ,  宫泽笑 ,  大山恭之 ,  川守崇司 ,  赤须雄太 ,  白坂敏明 ,  铃木直也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。

公开(公告)号：CN115668446A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035652.7

申请日：2021-05-21

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  大山恭之 ,  榎本哲也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  B32B15/08

Abstract: 本发明公开一种用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用层叠膜的制造方法。该临时固定用层叠膜的制造方法具备如下工序：在金属箔的一面侧设置第1固化性树脂层且在所述金属箔的另一面侧设置第2固化性树脂层以获得临时固定用层叠膜。并且，本发明还公开用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用层叠膜。该临时固定用层叠膜依次具备第1固化性树脂层、金属箔及第2固化性树脂层。

公开(公告)号：CN113169058A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078058.9

申请日：2019-11-27

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 宫泽笑 ,  稻叶贵一 ,  川守崇司 ,  大山恭之 ,  西户圭祐

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备依次层叠有支撑部件、吸收光而产生热的临时固定材料层及半导体部件的层叠体；及分离工序，对层叠体中的临时固定材料层照射光，而从支撑部件分离半导体部件。该制造方法中，临时固定材料层具有吸收光而产生热的光吸收层和含有固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层，固化性树脂成分含有烃树脂，固化性树脂成分的固化物在25℃下的储能模量为5～100MPa。