公开(公告)号：CN113169038A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077968.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 西户圭祐 ,  宫泽笑 ,  大山恭之 ,  川守崇司 ,  赤须雄太 ,  白坂敏明 ,  铃木直也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。

公开(公告)号：CN113169058A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078058.9

申请日：2019-11-27

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 宫泽笑 ,  稻叶贵一 ,  川守崇司 ,  大山恭之 ,  西户圭祐

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备依次层叠有支撑部件、吸收光而产生热的临时固定材料层及半导体部件的层叠体；及分离工序，对层叠体中的临时固定材料层照射光，而从支撑部件分离半导体部件。该制造方法中，临时固定材料层具有吸收光而产生热的光吸收层和含有固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层，固化性树脂成分含有烃树脂，固化性树脂成分的固化物在25℃下的储能模量为5～100MPa。