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公开(公告)号：CN112453398B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011286307.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种增强镁基复合材料界面结合的方法，属于复合材料结构设计领域。本发明所述方法将增强体选择具有高表面能的金属非晶(BMG)，采用“湿混→干燥→球磨→放电等离子烧结”的粉末冶金方法，得到界面良好的镁基复合材料。本发明所述结构设计方法将增强体设计为高表面能的非晶相，利用金属元素之间的相互作用，增强界面结合性能，从而避免了传统增强相界面结合性能差的缺点。镁合金表面始终存在一层抑制粘结的钝化氧化层，但是在烧结期间通过动态压制引入粉末颗粒表面的氧化膜，从而形成金属‑非金属‑金属的结合粘接。
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公开(公告)号：CN116145060B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN115029596B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210708593.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C23/06 , C22C1/03 , B22D11/20 , B22F1/054 , C21D1/26 , C21D8/02 , C21D9/46 , C22F1/06 , B21B3/00 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种PCB板级屏蔽罩材料用自组装纳米片层材料及其制备方法，属于复合板材领域。本发明根据Mg‑Zn‑Y合金中LPSO/α‑Mg纳米片层的生长形态与位向特性，以及其“软‑硬”力学特性。通过控制热流方向控制其生长位向，构建多重反射纳米片层结构。同时，引入高剪切应力的异步轧制，增加单位体积内纳米片层数量与界面面积，提升镁合金界面反射损耗，改善镁合金的高频电磁屏蔽性能。使用该方法制备出的材料在30‑6000MHz频段下，电磁屏蔽效能大于60dB，具有优异的全频电磁屏蔽性能。该材料克服了洋白铜、不锈钢等常用PCB板级屏蔽罩材料高频电磁屏蔽性能不足的短板，具有铸造成型性好、可实施性强等特点。
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公开(公告)号：CN112453398A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011286307.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种增强镁基复合材料界面结合的方法，属于复合材料结构设计领域。本发明所述方法将增强体选择具有高表面能的金属非晶(BMG)，采用“湿混→干燥→球磨→放电等离子烧结”的粉末冶金方法，得到界面良好的镁基复合材料。本发明所述结构设计方法将增强体设计为高表面能的非晶相，利用金属元素之间的相互作用，增强界面结合性能，从而避免了传统增强相界面结合性能差的缺点。镁合金表面始终存在一层抑制粘结的钝化氧化层，但是在烧结期间通过动态压制引入粉末颗粒表面的氧化膜，从而形成金属‑非金属‑金属的结合粘接。
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公开(公告)号：CN112207279A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011143145.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种双连续镁基复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。本发明所述双连续镁基复合材料中基体为镁合金粉末或纯镁粉，增强体为泡沫镍；制备方法为：首先对镁合金粉末或纯镁粉和泡沫镍进行预处理，将镁合金粉末或纯镁粉进行真空干燥以及球磨处理，并对泡沫镍进行电化学抛光；将预处理后的泡沫镍和镁合金粉末依次放入烧结模具中，通过放电等离子烧结技术（SPS）中进行烧结，得到致密度高、性能优异的双连续镁基复合材料；本发明所述复合材料相较于同等烧结条件下镁合金或纯镁机械性能有显著的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115786796A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211405288.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于中熵合金技术领域，公开了一种中熵铜合金及其制备方法。本发明成分的设计选用纯铜、纯锰和纯镍单质为原材料，通过等原子比或近等原子比来制备中熵铜合金，在该配比下的铜合金具有稳定的单相固溶体结构，并且抗拉强度达到了740MPa以上，突破了传统铸态Cu‑Ni‑Mn合金强度较低的局限。本发明通过真空熔炼+电磁搅拌的方式制备出的中熵铜合金，达到了成分均匀化、晶粒细小的目的，改善了铸锭内部质量。本发明选用的制备工艺，具有加热速度快、设备生产率高、氧化损失少和合金成分均匀化特点。
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公开(公告)号：CN115029596A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210708593.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C23/06 , C22C1/03 , B22D11/20 , B22F1/054 , C21D1/26 , C21D8/02 , C21D9/46 , C22F1/06 , B21B3/00 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种PCB板级屏蔽罩材料用自组装纳米片层材料及其制备方法，属于复合板材领域。本发明根据Mg‑Zn‑Y合金中LPSO/α‑Mg纳米片层的生长形态与位向特性，以及其“软‑硬”力学特性。通过控制热流方向控制其生长位向，构建多重反射纳米片层结构。同时，引入高剪切应力的异步轧制，增加单位体积内纳米片层数量与界面面积，提升镁合金界面反射损耗，改善镁合金的高频电磁屏蔽性能。使用该方法制备出的材料在30‑6000MHz频段下，电磁屏蔽效能大于60dB，具有优异的全频电磁屏蔽性能。该材料克服了洋白铜、不锈钢等常用PCB板级屏蔽罩材料高频电磁屏蔽性能不足的短板，具有铸造成型性好、可实施性强等特点。
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公开(公告)号：CN116306184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310155509.2
申请日：2023-02-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/25 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种异步轧制中熵合金原子变形方法，涉及材料分析技术领域，可在原子尺度上模拟CrCoNiAl0.014中熵合金室温异步轧制的变形过程。通过对轧制变形过程数据的二次处理，获得不同类型位错的密度变化和位错线的分布特性，揭示了异步轧制变形对中熵合金CrCoNiAl0.014的内部组织在原子尺度上的影响。本发明从原子尺度模拟了不同道次CrCoNiAl0.014中熵合金异步轧制变形，与实验上的数据形成了互补，特别是针对位错与孪晶等缺陷相互作用的动态演变过程提供了新的技术手段；采用LAMMPS中的虚拟衍射和选区电子衍射技术将实验结果与模拟数据相结合，弥补了微观尺度上现有分析检测手段所存在的局限性。
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公开(公告)号：CN116145060A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN115418584B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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