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公开(公告)号：CN117004840A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311212323.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于合金技术领域，本发明提供了一种Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带及其制备方法，将铜单质、镍单质和锡单质进行熔炼，得到金属混合液；金属混合液进行浇铸，得到合金铸锭；将合金铸锭顺次进行表面预处理、均匀化退火处理、水淬处理，得到固溶体；将固溶体顺次进行预热处理、热轧，得到轧制合金；将轧制合金顺次进行退火处理、酸洗、冷轧，得到Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带。本发明的方法制备得到的Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带更加均匀，拥有良好的成形性；Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带保持了现有技术中的Cu‑Ni‑Sn合金的弹性、硬度及抗腐蚀性能，同时提高了成形性以推动现阶段的铜加工业发展需要。
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公开(公告)号：CN116306184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310155509.2
申请日：2023-02-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/25 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种异步轧制中熵合金原子变形方法，涉及材料分析技术领域，可在原子尺度上模拟CrCoNiAl0.014中熵合金室温异步轧制的变形过程。通过对轧制变形过程数据的二次处理，获得不同类型位错的密度变化和位错线的分布特性，揭示了异步轧制变形对中熵合金CrCoNiAl0.014的内部组织在原子尺度上的影响。本发明从原子尺度模拟了不同道次CrCoNiAl0.014中熵合金异步轧制变形，与实验上的数据形成了互补，特别是针对位错与孪晶等缺陷相互作用的动态演变过程提供了新的技术手段；采用LAMMPS中的虚拟衍射和选区电子衍射技术将实验结果与模拟数据相结合，弥补了微观尺度上现有分析检测手段所存在的局限性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115418584B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN115418584A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN115029596B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210708593.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C23/06 , C22C1/03 , B22D11/20 , B22F1/054 , C21D1/26 , C21D8/02 , C21D9/46 , C22F1/06 , B21B3/00 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种PCB板级屏蔽罩材料用自组装纳米片层材料及其制备方法，属于复合板材领域。本发明根据Mg‑Zn‑Y合金中LPSO/α‑Mg纳米片层的生长形态与位向特性，以及其“软‑硬”力学特性。通过控制热流方向控制其生长位向，构建多重反射纳米片层结构。同时，引入高剪切应力的异步轧制，增加单位体积内纳米片层数量与界面面积，提升镁合金界面反射损耗，改善镁合金的高频电磁屏蔽性能。使用该方法制备出的材料在30‑6000MHz频段下，电磁屏蔽效能大于60dB，具有优异的全频电磁屏蔽性能。该材料克服了洋白铜、不锈钢等常用PCB板级屏蔽罩材料高频电磁屏蔽性能不足的短板，具有铸造成型性好、可实施性强等特点。
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公开(公告)号：CN117206637A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311169882.X
申请日：2023-09-11
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于表面涂层技术领域，本发明公开了一种钛合金用非晶Zr‑Co‑Al合金涂层及其制备方法，本发明将质量份数为46～56份的锆，28～46份的钴和8～16份的铝进行吸铸，制得Zr‑Co‑Al合金棒；将Zr‑Co‑Al合金棒在钛合金板表面进行电弧焊，得到非晶Zr‑Co‑Al合金涂层；本发明所得合金涂层能有效改善钛合金基材的耐磨性和表面硬度，适用于工业结构件的制备及修复。
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公开(公告)号：CN115029596A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210708593.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C23/06 , C22C1/03 , B22D11/20 , B22F1/054 , C21D1/26 , C21D8/02 , C21D9/46 , C22F1/06 , B21B3/00 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种PCB板级屏蔽罩材料用自组装纳米片层材料及其制备方法，属于复合板材领域。本发明根据Mg‑Zn‑Y合金中LPSO/α‑Mg纳米片层的生长形态与位向特性，以及其“软‑硬”力学特性。通过控制热流方向控制其生长位向，构建多重反射纳米片层结构。同时，引入高剪切应力的异步轧制，增加单位体积内纳米片层数量与界面面积，提升镁合金界面反射损耗，改善镁合金的高频电磁屏蔽性能。使用该方法制备出的材料在30‑6000MHz频段下，电磁屏蔽效能大于60dB，具有优异的全频电磁屏蔽性能。该材料克服了洋白铜、不锈钢等常用PCB板级屏蔽罩材料高频电磁屏蔽性能不足的短板，具有铸造成型性好、可实施性强等特点。
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