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公开(公告)号：CN116145060B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN116145060A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119517252A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411581473.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种确定混晶组织材料动态再结晶临界点的方法，属于材料科学与金属加工技术领域。本发明提出了一种基于峰值应力代表动态回复饱和应力值假设的方法；该方法通过精确拟合真应力‑真应变曲线以降噪，绘制加工硬化率与真应力的关系曲线，并利用Origin软件的Tangent插件精确定位动态再结晶临界点，并记录了与临界点相对应的临界应力值和临界应变值，为材料加工提供了关键的工艺参数，从而显著提升了整个过程的系统性和实用性。
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公开(公告)号：CN105624445A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610001900.7
申请日：2016-01-06
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: C22C1/05 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C9/06 , B22F1/0003 , B22F1/0085 , B22F3/02 , B22F2003/145 , B22F2003/208 , B22F2202/13
Abstract: 本发明公开一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，属于高强高导复合材料的制备领域。本发明所述方法将石墨烯与纳米铜粉、钴粉按所需质量比混合于无水乙醇中，在电磁搅拌下进行物理分散，然后将物理分散的混合浆料加入到球磨罐中进行机械球磨；将混合均匀的浆料离心烘干后，对所得混合粉末退火后进行SPS热压烧结成型；对所得块体坯料退火后进行热挤压得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明制备得到的石墨烯增强铜基复合材料力学性能良好，组织均匀并具有良好的导热导电能力的石墨烯增强铜基复合材料。
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公开(公告)号：CN119387467A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411548443.4
申请日：2024-11-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超细晶Ti‑6Al‑4V钛合金的方法。该方法包括预处理粗晶Ti‑6Al‑4V钛合金板材，将其加工成特定比例的方块，并进行表面光滑处理。接着，通过多向等温闭模锻造实施锻造变形，控制锻造方向、压力大小和变形道次，以制备出具有超细晶结构的混晶Ti‑6Al‑4V钛合金。锻造后，对样品进行表面清洁处理，并在适当的轧制温度下进行轧制准备，通过多个道次的轧制减小样品厚度。最终获得的最大晶粒尺寸小于5μm，平均晶粒尺寸小于1μm，且1μm以内的晶粒占比达到75％以上的超细晶Ti‑6Al‑4V钛合金。该方法有效提高了材料组织的均匀性，同时延长了模具的使用寿命，并优化了工艺效率和表面质量控制，而且显著提升了材料的力学性能，为钛合金材料的制备提供了新的技术途径。
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公开(公告)号：CN105624445B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201610001900.7
申请日：2016-01-06
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，属于高强高导复合材料的制备领域。本发明所述方法将石墨烯与纳米铜粉、钴粉按所需质量比混合于无水乙醇中，在电磁搅拌下进行物理分散，然后将物理分散的混合浆料加入到球磨罐中进行机械球磨；将混合均匀的浆料离心烘干后，对所得混合粉末退火后进行SPS热压烧结成型；对所得块体坯料退火后进行热挤压得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明制备得到的石墨烯增强铜基复合材料力学性能良好，组织均匀并具有良好的导热导电能力的石墨烯增强铜基复合材料。
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公开(公告)号：CN104005011A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410187441.7
申请日：2014-05-06
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明公开一种Cu-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，属于半导体材料、发光材料技术领域；本发明所述方法是将备好的Cu-Al共掺杂的ZnO胶体溶液滴加在衬底上，并以旋涂的方式进行镀膜，烘干，然后进行退火处理即可得到所需薄膜；本发明的共掺杂Cu-Al的p型ZnO薄膜表现出良好的光学特性；本发明所述方法具有合成温度低、成膜均匀性好、成膜面积大、与衬底附着力强、易于原子级掺杂、可精确控制掺杂水平、工艺简单等优点。
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