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公开(公告)号：CN101872657A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010164991.9
申请日：2010-04-20
Abstract: 本发明提供一种电缆，其同时实现高的弯曲耐久性和高的可挠性。本发明涉及的电缆为由多根捻合线导体(13)捻合而成的电缆(11)，具有比捻合线导体(13)容易变形的充填物(14)，在充填物(14)的周围配置多根捻合线导体(13)。
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公开(公告)号：CN101989471A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010214074.7
申请日：2010-06-24
CPC classification number: H01B7/1895 , H01B7/041 , H02G3/0481 , H02G11/00
Abstract: 本发明提供一种降低绞线彼此的接触并大幅降低因电缆弯曲引起的磨损断线的电缆。本发明的电缆至少具有：配置成大致圆环状并将多根导体线材绞合而成的多股绞线(2)；以及在配置成大致圆环状的绞线(2)的大致中心部配置的夹杂物(3)，在夹杂物(3)上并对应多股绞线(2)的每条地形成具有将多股绞线(2)中相互邻接的绞线彼此隔开而互不接触的隔壁(9)的螺旋状的槽(4)，该槽(4)与多股绞线(2)的外表面的至少一部分吻合。
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公开(公告)号：CN1407603A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN01140772.7
申请日：2001-08-25
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
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公开(公告)号：CN1311524A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN01116283.X
申请日：2001-02-09
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02667 , C30B11/12 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2022 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 衬底1上形成凹凸部分,非晶硅层4形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂3上,从金属催化剂3生长有各个取向的晶相5,晶相5经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层6。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势,能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且,衬底1上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层30,Ni构成的金属催化剂40,多晶硅层50。其上形成预定厚度的非晶硅层60之后,进行热处理,Ni元素从金属催化剂层40扩散进非晶硅层60中,使非晶硅层60结晶成多晶硅层60’。
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公开(公告)号：CN101867014B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010197567.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393960A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810109630.7
申请日：2008-06-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种压电元件，其为使用了Si基板的压电元件，能够抑制压电常数d31的施加电压依存性。本发明涉及的压电元件包括：Si基板、在Si基板之上形成的、一般式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电膜以及在Si基板与压电膜之间形成的、使压电膜产生压缩方向的应力的中间层。
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公开(公告)号：CN101414656B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810128124.2
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。
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公开(公告)号：CN101599527A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1－xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1－xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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公开(公告)号：CN1218363C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01116283.X
申请日：2001-02-09
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02667 , C30B11/12 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2022 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 衬底(1)上形成凹凸部分，非晶硅层(4)形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂(3)上，从金属催化剂(3)生长有各个取向的晶相(5)，晶相(5)经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层(6)。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势，能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且，衬底(1)上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层(30)，Ni构成的金属催化剂(40)，多晶硅层(50)。其上形成预定厚度的非晶硅层(60)之后，进行热处理，Ni元素从金属催化剂层(40)扩散进非晶硅层(60)中，使非晶硅层(60)结晶成多晶硅层(60’)。
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公开(公告)号：CN101599527B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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