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发明公开
结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法失效

公开(公告)号：CN1407603A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN01140772.7

申请日：2001-08-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 冈史人 , 松村信一 , 皆川康

IPC: H01L21/20 , H01L21/00 , H01L31/04 , H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521

Abstract: 玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。

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