公开(公告)号：CN110235222A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009429.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山口雄志 ,  古谷凉士 ,  池谷卓二 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: H01L21/02 ,  C08J5/18 ,  C08L33/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种具有电磁屏蔽的电子部件的制造方法，该制造方法包含下述工序：在表面上具有凹凸的被加工体上贴附临时保护材的贴附工序；通过光照射而使临时保护材固化的光固化工序；将被加工体和临时保护材进行单片化的切割工序；在单片化后的被加工体的未贴附临时保护材的部分上形成金属膜的屏蔽工序；和将形成了金属膜的被加工体与临时保护材剥离的剥离工序，其中，临时保护材由在25℃下的弹性模量为3MPa以下并且曝光量设定为500mJ/cm2以上的光照射后在25℃下的弹性模量为40MPa以上的临时保护用树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN109155257A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201680085883.8

申请日：2016-05-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 铃木雅彦 ,  田村辽 ,  池谷卓二

IPC: H01L21/56 ,  B32B27/00 ,  B32B27/14

Abstract: 一种半导体压缩成型用脱模片，其包含：含有粒子的脱模层、以及基材层，所述脱模层中的所述粒子的含有率为5体积％～65体积％。

公开(公告)号：CN102959688B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180027958.4

申请日：2011-06-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中村祐树 ,  宫原正信 ,  片山阳二 ,  玉置刚士 ,  畠山惠一 ,  池谷卓二

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 半导体装置制造用粘接片1，具备：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接层20、配置于粘接层20上并且具有露出粘接层20的开口30a的粘接层30和配置于粘接层20中从开口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分与粘接层30相接。