公开(公告)号：CN104412369B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380033462.7

申请日：2013-06-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  牧野龙也 ,  祖父江省吾 ,  畠山惠一 ,  松崎隆行

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J179/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J179/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。

公开(公告)号：CN110235222A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009429.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山口雄志 ,  古谷凉士 ,  池谷卓二 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: H01L21/02 ,  C08J5/18 ,  C08L33/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种具有电磁屏蔽的电子部件的制造方法，该制造方法包含下述工序：在表面上具有凹凸的被加工体上贴附临时保护材的贴附工序；通过光照射而使临时保护材固化的光固化工序；将被加工体和临时保护材进行单片化的切割工序；在单片化后的被加工体的未贴附临时保护材的部分上形成金属膜的屏蔽工序；和将形成了金属膜的被加工体与临时保护材剥离的剥离工序，其中，临时保护材由在25℃下的弹性模量为3MPa以下并且曝光量设定为500mJ/cm2以上的光照射后在25℃下的弹性模量为40MPa以上的临时保护用树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN111801567A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201880090757.0

申请日：2018-03-06

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 祖父江省吾 ,  牧野龙也

IPC: G01N11/00 ,  G01N3/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及树脂组合物的流动性评价方法。该方法包括：准备由树脂组合物构成的试样的工序；以及通过对试样赋予应变且在温度(T)下测定试样的剪切弹性率，来掌握温度(T)下的试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。

公开(公告)号：CN108292590A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068718.1

申请日：2016-11-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 牧野龙也 ,  祖父江省吾 ,  德安孝宽 ,  石井学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的电子部件的制造方法具备以下工序：通过膜状的暂时固定材料将成为构成电子部件的构件的被加工体暂时固定在支撑体上的工序；对暂时固定在支撑体上的被加工体进行加工的工序；以及将经加工的被加工体从支撑体及膜状的暂时固定材料上分离的分离工序，其中，所述暂时固定用树脂组合物含有(A)反应性官能团非不均性(甲基)丙烯酸共聚物。

公开(公告)号：CN104412369A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380033462.7

申请日：2013-06-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  牧野龙也 ,  祖父江省吾 ,  畠山惠一 ,  松崎隆行

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J179/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J179/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。