公开(公告)号：CN105849215A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070497.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 德安孝宽 ,  夏川昌典 ,  大山恭之

IPC: C09J7/00 ,  C09J133/00 ,  C09J167/00 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜，其中，所述半导体晶片的加工方法具备以下工序：将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序；对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序；以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序，所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂，并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1～1000MPa。

公开(公告)号：CN110235222A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009429.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山口雄志 ,  古谷凉士 ,  池谷卓二 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: H01L21/02 ,  C08J5/18 ,  C08L33/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种具有电磁屏蔽的电子部件的制造方法，该制造方法包含下述工序：在表面上具有凹凸的被加工体上贴附临时保护材的贴附工序；通过光照射而使临时保护材固化的光固化工序；将被加工体和临时保护材进行单片化的切割工序；在单片化后的被加工体的未贴附临时保护材的部分上形成金属膜的屏蔽工序；和将形成了金属膜的被加工体与临时保护材剥离的剥离工序，其中，临时保护材由在25℃下的弹性模量为3MPa以下并且曝光量设定为500mJ/cm2以上的光照射后在25℃下的弹性模量为40MPa以上的临时保护用树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN105849215B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201480070497.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 德安孝宽 ,  夏川昌典 ,  大山恭之

IPC: C09J7/10 ,  C09J133/00 ,  C09J167/00 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜，其中，所述半导体晶片的加工方法具备以下工序：将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序；对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序；以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序，所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂，并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1～1000MPa。