公开(公告)号：CN105849215A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070497.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 德安孝宽 ,  夏川昌典 ,  大山恭之

IPC: C09J7/00 ,  C09J133/00 ,  C09J167/00 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜，其中，所述半导体晶片的加工方法具备以下工序：将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序；对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序；以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序，所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂，并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1～1000MPa。

公开(公告)号：CN111133564A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880060553.2

申请日：2018-09-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 大久保惠介 ,  藤尾俊介 ,  夏川昌典

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  C09J7/22 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12

Abstract: 本公开的粘接膜具备宽度为100mm以下的带状的载体膜和在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片，粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状。本公开的半导体装置具备半导体芯片、半导体芯片电连接的基板、以及配置于半导体芯片与基板之间且将半导体芯片与基板粘接的粘接剂片，半导体芯片的形状与粘接剂片的形状不同。

公开(公告)号：CN105849215B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201480070497.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 德安孝宽 ,  夏川昌典 ,  大山恭之

IPC: C09J7/10 ,  C09J133/00 ,  C09J167/00 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的临时固定用膜是用于半导体晶片的加工方法的临时固定用膜，其中，所述半导体晶片的加工方法具备以下工序：将半导体晶片介由临时固定用膜临时固定在支撑体上的临时固定工序；对临时固定在支撑体上的半导体晶片进行加工的加工工序；以及将加工后的半导体晶片从支撑体及临时固定用膜上分离的分离工序，所述临时固定用膜含有(A)高分子量成分及(B)有机硅改性树脂，并且所述临时固定用膜在110℃下加热30分钟并在170℃下加热1小时后的弹性模量在23℃下为0.1～1000MPa。

公开(公告)号：CN111095505A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060518.0

申请日：2018-09-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 大久保惠介 ,  夏川昌典

IPC: H01L21/52 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  C09J7/22 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的半导体装置制造用粘接膜的制造方法依次包含以下工序：(A)准备至少具有宽度为100mm以下的带状的载体膜和按照将载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层的层叠体的工序；和(B)通过对粘接剂层进行模切，获得在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的工序，其中，在(B)工序中进行模切时，按照满足以下不等式(1)所示条件的方式，在粘接剂层及载体膜中刻入切痕，粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边中形成有凸部及凹部中的至少一个的形状。式中，D为切痕相对于载体膜的深度(单位μm)、T为载体膜的厚度(单位μm)。0