Patent search ap:("日立化成株式会社") AND inv:"增野道夫" Page 1

1.

发明授权
粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置有权

公开(公告)号：CN102169817B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201110060486.4

申请日：2005-09-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中麻衣子 , 宇留野道生 , 松崎隆行 , 古谷凉士 , 增野道夫 , 稻田祯一

IPC: H01L21/00 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/68

CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。

2.

发明公开
晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN103155109A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048659.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 谷口纮平 , 松崎隆行 , 加藤慎也 , 小森田康二 , 增野道夫 , 作田龙弥 , 加藤理绘

IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31

CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00

Abstract: 在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。

3.

发明授权
粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法失效

公开(公告)号：CN101447413B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810186927.3

申请日：2004-06-04

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 稻田祯一 , 增野道夫 , 宇留野道生

IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , C09J7/00

CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27

Abstract: 本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：通过在室温以下将半导体晶片、粘合片及切割胶带的层叠物进行扩张，切割半导体晶片及粘合片，形成带有多个单片化了的粘合片的半导体芯片。

4.

发明授权
半导体芯片搭载方法有权

公开(公告)号：CN102543809B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210003464.9

申请日：2008-11-07

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山田真树 , 增野道夫

IPC: H01L21/68 , C09J7/00 , C09J11/04

CPC classification number: C09J11/04 , C08K3/013 , C08L9/00 , C08L13/00 , C08L2666/04 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J133/08 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2409/00 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/2852 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/0532 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2924/0503 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供通过扩张而可以切割性良好地单片化，且模制时对线路板的凹凸的填充性优良的半导体用粘接片及切割带一体型半导体用粘接片及使用其的半导体芯片搭载方法。该半导体用粘接片由含有高分子量成分及填料的树脂组合物构成，其特征在于，固化前的粘接片的0℃时的断裂伸长率为40％以下，固化后的粘接片的175℃时的弹性模量为0.1～10MPa。

5.

发明授权
粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置有权

公开(公告)号：CN102176407B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110060467.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中麻衣子 , 宇留野道生 , 松崎隆行 , 古谷凉士 , 增野道夫 , 稻田祯一

IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/58

CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。

6.

发明授权
晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN103155109B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201180048659.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 谷口纮平 , 松崎隆行 , 加藤慎也 , 小森田康二 , 增野道夫 , 作田龙弥 , 加藤理绘

IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31

CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00

Abstract: 在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。