公开(公告)号：CN105981132B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201580006859.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  岩崎康范

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN104412358B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480001703.4

申请日：2014-03-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603 ,  Y10T428/24355

Abstract: 操作基板(11)、(11A)由绝缘性多晶材料形成，操作基板的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，表面露出的晶粒(2)的露出面(2a)间设置段差(3)。

公开(公告)号：CN103703542B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201380002366.6

申请日：2013-07-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩崎康范 ,  井出晃启 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  宫泽杉夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76251

Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。

公开(公告)号：CN105074868A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B7/02 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B18/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/283 ,  B32B37/10 ,  B32B38/10 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/538 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L41/1873 ,  H03H3/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/25 ,  Y10T428/12597

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

公开(公告)号：CN105051862B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。

公开(公告)号：CN105981132A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580006859.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  岩崎康范

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN105190838A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201580000420.2

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/16 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/588 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0649 ,  Y10T428/24355

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。

公开(公告)号：CN105051862A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。

公开(公告)号：CN108781506B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201780011941.7

申请日：2017-02-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  高垣达朗 ,  井出晃启

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/13

Abstract: 连接基板具备：设置有贯通孔的陶瓷基板、以及设置在贯通孔中的贯通导体11，该贯通导体11具有第一主面11a和第二主面11b。贯通导体11具有：设置有与第一主面11a相连通的第一开口气孔16A、16D以及与第二主面11b相连通的第二开口气孔16B的金属多孔体20；形成在第一开口气孔16A、16D内的第一玻璃相17、19；形成在第二开口气孔16B内的第二玻璃相17B；设置在第一开口气孔内的第一空隙30；以及设置在第二开口气孔16B内的第二空隙32。第一空隙30为不与第一主面相连通的闭口空隙。第二空隙32为与第二主面11b相连通的开口空隙。

公开(公告)号：CN108886870B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201780006847.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H05K1/09 ,  H05K3/40

Abstract: 设置在陶瓷基板的贯通孔内的贯通导体11具有：金属多孔体20、形成于金属多孔体20的气孔16A～16D的玻璃相17、19以及气孔内的空隙30、31。在贯通导体11的横截面处，气孔的面积比率为5～50％。在沿着陶瓷基板的厚度方向B观察贯通导体11并将其分为第一主面11a侧的第一部分11A和第二主面侧11b的第二部分11B时，第一部分11A中的玻璃相的面积比率大于第二部分11B中的玻璃相的面积比率，第一部分11A中的空隙的面积比率小于第二部分11B中的空隙的面积比率。