一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114256419A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111524546.3

    申请日:2021-12-14

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法,包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上;在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔;在第一温度下,矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版;在第二温度下,母版再结晶,即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜,并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数,进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法,它的制备成本更低,要求的操作水平更低,更重要的是,制备的晶态薄膜面积大,该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。

    雪崩光电二极管及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114242828A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202210021152.4

    申请日:2022-01-10

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法,其中雪崩光电二极管包括SiC衬底及设置于SiC衬底上的外延结构,外延结构自上而下依次包括n+接触层、p+接触层、p型过渡层、i倍增层和n+型过渡层。其中n+接触层的正面设有正面欧姆接触电极,SiC衬底的背面设有背面欧姆接触电极。根据上述技术方案的雪崩光电二极管,通过在传统p+接触层的上面再设置一层n+接触层,从而将器件的上电极和下电极均变为n型欧姆接触,在不增加器件制备工艺难度的前提下,改善低导电率引起的耗尽区电场非均匀分布,优化器件的探测性能。

    一种自供电光学突触器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116615035A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310589235.8

    申请日:2023-05-24

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种自供电光学突触器件及其制备方法,该自供电光学突触器件包括衬底,覆盖所述衬底的半导体层以及位于所述半导体层上相对设置的金电极和PEDOT:PSS电极。本发明的自供电光学突触器件具有功耗为零的特性;不仅如此,本发明还对PEDOT:PSS电极进行了改性,使改性后的自供电光学突触器件具有更好的双脉冲易化行为和非易失性存储行为。本发明提供的自供电光学突触器件的制备方法制作成本低,制作工艺简单,易于实施。

    一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法

    公开(公告)号:CN115763620A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211356409.8

    申请日:2022-11-01

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法,该方法通过设置击穿电压,获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB,对整个SiC APD线性阵列进行分组,将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组;通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控;选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压,工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极,使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下,获得高质量紫外探测成像。

    一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114256419B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202111524546.3

    申请日:2021-12-14

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法,包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上;在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔;在第一温度下,矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版;在第二温度下,母版再结晶,即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜,并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数,进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法,它的制备成本更低,要求的操作水平更低,更重要的是,制备的晶态薄膜面积大,该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。

    一种基于三维相机组网的S型公路模拟障碍物预警方法

    公开(公告)号:CN114446092B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202210060614.3

    申请日:2022-01-19

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种基于三维相机组网的S型公路模拟障碍物预警方法,属于智能汽车路障检测与预警技术领域;首先,利用三维相机组网与汽车控制系统通信;然后,利用三维相机在俯视视角下对S型公路模拟障碍物和模拟汽车拍摄得到视场点云数据;进一步建立以三维相机为原点的系统坐标系;利用随机抽样一致算法估计、直通和体素滤波方式去除参考面和噪声;利用欧式聚类和边界框估计得到独立模拟障碍物点云数据,然后计算模拟障碍物点云数据的路况状态信息,然后发送到汽车控制系统预警;本发明利用三维相机拍摄S型公路模拟障碍物,无需外界光源,得到深度信息,克服了现有技术中智能汽车受光源和天气影响而无法获得障碍物深度信息的缺点。

    一种基于三维相机组网的S型公路模拟障碍物预警方法

    公开(公告)号:CN114446092A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210060614.3

    申请日:2022-01-19

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种基于三维相机组网的S型公路模拟障碍物预警方法,属于智能汽车路障检测与预警技术领域;首先,利用三维相机组网与汽车控制系统通信;然后,利用三维相机在俯视视角下对S型公路模拟障碍物和模拟汽车拍摄得到视场点云数据;进一步建立以三维相机为原点的系统坐标系;利用随机抽样一致算法估计、直通和体素滤波方式去除参考面和噪声;利用欧式聚类和边界框估计得到独立模拟障碍物点云数据,然后计算模拟障碍物点云数据的路况状态信息,然后发送到汽车控制系统预警;本发明利用三维相机拍摄S型公路模拟障碍物,无需外界光源,得到深度信息,克服了现有技术中智能汽车受光源和天气影响而无法获得障碍物深度信息的缺点。

    一种痛觉神经形态器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118251118A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410372618.4

    申请日:2024-03-29

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种痛觉神经形态器件及其制备方法,所述器件包括SiO2/Si衬底,所述SiO2/Si衬底上生长有Si3N4层作为电子隧穿层,所述Si3N4层上制备有二维有机半导体层,所述二维有机半导体层上构建有两片金属电极。本发明采用全新的机制,将Si3N4作为电子隧穿层插入到半导体/SiO2界面中,通过电子隧穿机制来控制电子到达SiO2界面被捕获的过程,在低强度的脉冲刺激下,实现低阈值突触行为,随着脉冲强度的增加或者脉冲数量的持续,Si3N4会发生隧穿模式的转变,从而实现高阈值突触行为,利用这种方式来模拟特定阈值以上的痛觉感受器,进而灵活简便地调控痛觉神经形态器件的痛觉程度。

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