-
公开(公告)号：CN115763620A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211356409.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法，该方法通过设置击穿电压，获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB，对整个SiC APD线性阵列进行分组，将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组；通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控；选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压，工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极，使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下，获得高质量紫外探测成像。
Search Results
1
records
(took 0.02 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
