-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116615035A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310589235.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种自供电光学突触器件及其制备方法，该自供电光学突触器件包括衬底，覆盖所述衬底的半导体层以及位于所述半导体层上相对设置的金电极和PEDOT：PSS电极。本发明的自供电光学突触器件具有功耗为零的特性；不仅如此，本发明还对PEDOT：PSS电极进行了改性，使改性后的自供电光学突触器件具有更好的双脉冲易化行为和非易失性存储行为。本发明提供的自供电光学突触器件的制备方法制作成本低，制作工艺简单，易于实施。
-
公开(公告)号：CN115763620A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211356409.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法，该方法通过设置击穿电压，获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB，对整个SiC APD线性阵列进行分组，将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组；通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控；选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压，工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极，使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下，获得高质量紫外探测成像。
-
公开(公告)号：CN218101277U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202221351325.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 本实用新型公开一种半透明电极紫外单光子探测器，包括上电极、下电极、外延层和n+型SiC衬底，其中，所述上电极的厚度在2‑15nm之间，所述n+型SiC衬底的正面制备有所述外延层，所述外延层的正面设置有所述上电极，所述n+型SiC衬底的背面制备有所述下电极。本实用新型的方案与现有SiC紫外单光子探测器件相比，在不增加器件制备工艺难度的前提下，采取改良电极的方式，将上电极的厚度减小至2‑15nm，相较于传统电极厚度，半透明电极紫外单光子探测器中材料对入射光的吸收更高，能够提高器件量子效率。
-
公开(公告)号：CN217719654U
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202221449941.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本实用新型公开了一种基于厚二氧化硅层的光学忆阻器件，包括硅基板，所述硅基板上表面接合有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上表面接合有有机半导体层，所述有机半导体层上表面设有金属电极。本实用新型提供一种基于厚二氧化硅层的光学忆阻器件，利用硅‑氧极性键在极性粒子作用下的变形甚至断裂行为来模拟短时和长时行为，并且这种行为特征表现出明显的厚度依赖性，利用这一特性，将横向的肖特基二极管器件的二氧化硅厚度增加，能够获得性能好的忆阻器件。
-
公开(公告)号：CN217562581U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202221364204.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于SiC材料方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.013 seconds)
