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公开(公告)号：CN102082086A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910188534.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。
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公开(公告)号：CN102054723A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910207783.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MOS器件掺杂缺陷的检测方法，包括步骤：预先建立缺陷模型库；提供待检测MOS器件，所述待检测MOS器件包括位于半导体器件上与半导体器件连通的金属插塞；利用扫描电子显微镜对所述MOS器件表面进行测试得到测试图，所述测试图包括金属插塞对应的图形；利用所述测试图和所述缺陷模型图比对，当所述测试图中金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中金属插塞对应的图形亮度越接近，则所述待检测MOS器件存在掺杂缺陷的区域和该缺陷模型图对应的MOS器件缺失的掺杂区域越接近。利用本发明简化了检测步骤，提高了检测的精确度。
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公开(公告)号：CN102054723B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200910207783.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MOS器件掺杂缺陷的检测方法，包括步骤：预先建立缺陷模型库；提供待检测MOS器件，所述待检测MOS器件包括位于半导体器件上与半导体器件连通的金属插塞；利用扫描电子显微镜对所述MOS器件表面进行测试得到测试图，所述测试图包括金属插塞对应的图形；利用所述测试图和所述缺陷模型图比对，当所述测试图中金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中金属插塞对应的图形亮度越接近，则所述待检测MOS器件存在掺杂缺陷的区域和该缺陷模型图对应的MOS器件缺失的掺杂区域越接近。利用本发明简化了检测步骤，提高了检测的精确度。
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公开(公告)号：CN102082086B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910188534.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。
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公开(公告)号：CN102082085A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910246102.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种超浅结的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，至此，形成超浅结结构。其中，所述第一离子为氟化亚硼离子，所述第二离子是为四价离子，所述第三离子为硼离子。本发明还提供一种PMOS晶体管的形成方法。
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