公开(公告)号：CN102082085A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910246102.0

申请日：2009-12-01

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 杜建 ,  菜建瓴 ,  李佳佳 ,  王德进 ,  张克云 ,  方浩

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种超浅结的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，至此，形成超浅结结构。其中，所述第一离子为氟化亚硼离子，所述第二离子是为四价离子，所述第三离子为硼离子。本发明还提供一种PMOS晶体管的形成方法。