公开(公告)号：CN113872044A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111049221.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 扬州工业职业技术学院

Inventor： 郭林炀 ,  马晓辉 ,  杨润贤 ,  陶涛 ,  郭胜君 ,  李丹 ,  蒋煜琪 ,  钟志超

IPC: H01S5/028 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于AlxNy的GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化膜的制备方法，将半导体激光器镀制一层氮化铝薄膜，工作条件为：工作气压0.35Pa，氮气分压60%，溅射功率200W，沉积速率0.044nm/s。本发明采用氮化铝材料镀制激光器腔面钝化膜，其具有良好的钝化特性，并具有优异的光学特性，热稳定性好，光吸收率低。

公开(公告)号：CN112831777A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011110365.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 扬州工业职业技术学院

Inventor： 郭林炀 ,  马晓辉 ,  王丽霞 ,  邹永刚 ,  周正平 ,  钟志超 ,  黄华睿

IPC: C23C22/05 ,  C23C22/78 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液，将单质Se加入（NH4）2S溶液中搅拌均匀，配成Se的饱和溶液，然后将该饱和溶液与叔丁醇以体积比1:1配置成所述钝化液；其钝化方法为：将所述激光器作预清洗处理；将预清洗后的激光器于所述钝化液中进行钝化处理。本发明中采用含Se钝化液对激光器腔面钝化效果明显，可有效去除GaAs表面氧化成的同时获得更稳定的钝化效果。

公开(公告)号：CN112838470A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011435270.7

申请日：2020-12-10

Applicant: 扬州工业职业技术学院

Inventor： 郭林炀 ,  马晓辉 ,  王丽霞 ,  陶涛 ,  李丹 ,  郭胜君 ,  陈琳 ,  许晓东

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面等离子体清洗方法，采用氮等离子体作为清洗源，对GaAs基高功率半导体激光器腔面进行干法清洗，并原位蒸镀SiO2薄膜，用以达到降低表面态，改善发光性能的目的，同时，最大程度去除腔面氧化层又不带来新的损伤。