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发明公开
GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液无效

公开(公告)号：CN112831777A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011110365.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 扬州工业职业技术学院

Inventor： 郭林炀 , 马晓辉 , 王丽霞 , 邹永刚 , 周正平 , 钟志超 , 黄华睿

IPC: C23C22/05 , C23C22/78 , H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液，将单质Se加入（NH4）2S溶液中搅拌均匀，配成Se的饱和溶液，然后将该饱和溶液与叔丁醇以体积比1:1配置成所述钝化液；其钝化方法为：将所述激光器作预清洗处理；将预清洗后的激光器于所述钝化液中进行钝化处理。本发明中采用含Se钝化液对激光器腔面钝化效果明显，可有效去除GaAs表面氧化成的同时获得更稳定的钝化效果。

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