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公开(公告)号：CN112831777A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011110365.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液，将单质Se加入（NH4）2S溶液中搅拌均匀，配成Se的饱和溶液，然后将该饱和溶液与叔丁醇以体积比1:1配置成所述钝化液；其钝化方法为：将所述激光器作预清洗处理；将预清洗后的激光器于所述钝化液中进行钝化处理。本发明中采用含Se钝化液对激光器腔面钝化效果明显，可有效去除GaAs表面氧化成的同时获得更稳定的钝化效果。
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公开(公告)号：CN118604921A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410750802.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种具有均一吸收率的广角红外超材料吸收器及制备方法，包括圆孔阵列金层、中间介质层与底部反射金层，圆孔阵列金层位于中间介质层的上端外表面，底部反射金层位于中间介质层的下端外表面，圆孔阵列金层上均匀分布有阵列圆孔，圆孔阵列金层、中间介质层和底部反射金层之间通过热压一体成型，圆孔阵列金层的周期阵列为1590‑1610nm，厚度为55‑57nm。本发明所述的一种具有均一吸收率的广角红外超材料吸收器及制备方法，制备过程中所采用的新型结构是获得高FOM的关键所在，同时，该吸收器的吸收带几乎与入射角的增加无关，在横向磁和横向电两种情况下的入射角范围都很宽，即使在大入射角下也能保持高吸收值。
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公开(公告)号：CN117630879A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311661448.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种轻量化矩形激光发射窗及多光路共孔径测距仪，包括测距仪外壳、半导体激光器、矩形激光发射窗、多光路共孔径系统、操作按钮和密封Type‑C接口，测距仪外壳的内部形成有安装内腔，半导体激光器内置于安装内腔内且作为光源，矩形激光发射窗位于半导体激光器的发射端且安装于测距仪外壳的端部，矩形激光发射窗由若干组发射透镜组成，多光路共孔径系统安装于测距仪外壳内。本发明所设计的测距仪通过轻量化设计、矩形激光发射窗及多光路共孔径技术等特点和优势，有效解决了测距精度受环境光影响、测距范围有限、重量较重和操作复杂等问题。它具有高精度、适应性强和操作便捷的特点，能够满足各种测距需求。
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公开(公告)号：CN112838470A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011435270.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: H01S5/028
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面等离子体清洗方法，采用氮等离子体作为清洗源，对GaAs基高功率半导体激光器腔面进行干法清洗，并原位蒸镀SiO2薄膜，用以达到降低表面态，改善发光性能的目的，同时，最大程度去除腔面氧化层又不带来新的损伤。
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