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公开(公告)号：CN109616871B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811474280.4
申请日：2018-12-04
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种VCSEL芯片及其制作方法，包括：提供样品，样品包括衬底以及位于衬底表面的外延结构层，外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。其中对样品进行多个阶段的烘烤，可以消除样品表面的杂质、胶等，从而可以提高后续形成的膜层的质量；而采用间歇式生长方法生长第二GaAs缓冲层，可以使得第二GaAs缓冲层具有平整的表面，进而可以提高后续形成的膜层的质量，使得VCSEL芯片具有较低的阈值电流，较高的增益以及更高的功率。
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公开(公告)号：CN107768492B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711144430.0
申请日：2017-11-17
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。
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公开(公告)号：CN102409400B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110371287.5
申请日：2011-11-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本发明可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
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公开(公告)号：CN102409400A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110371287.5
申请日：2011-11-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本发明可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
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公开(公告)号：CN109524518A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811390736.9
申请日：2018-11-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种红光LED外延结构及制作方法，该红光LED外延结构通过设置存储层，使电洞集聚与此，随着电洞的不断增加，以及存储层本身可产生大量的电洞，从第一GaP层和第二GaP层跃迁过来的电洞拥有更高的电洞势能，电洞之间的碰撞，会产生更多的电洞跃迁至MWQ多量子阱层，即有源区，从而提供更高的电子与空穴对，进而提高内量子效率，同时生长第一InGaP层和第二InGaP层可以通过低温生长出更高的掺杂，通过第一GaP层和第二GaP层降低在高温生长过程中对In的影响，可以提供更高的电洞。
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公开(公告)号：CN108767080A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810577204.X
申请日：2018-05-31
申请人： 扬州乾照光电有限公司
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/0066 , H01L33/0075
摘要： 本发明公开了一种基于AlN衬底的LED外延结构及生长方法和LED，所述AlN衬底包括基底和位于所述基底上的AlN层，所述LED外延结构包括位于所述AlN层上、且依次生长的N型GaN层、有源区和P型GaN层，所述LED外延结构还包括：位于所述AlN层与所述N型GaN层之间的缓冲层，所述缓冲层包括生长于所述AlN层背离所述基底一侧表面上、且厚度小于所述AlN层的AlN过渡层。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在AlN衬底的AlN层表面上形成一较薄的AlN过渡层，有效的释放LED外延结构与AlN衬底之间的应力，减少生长LED外延结构过程中出现碎裂情况的几率。
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公开(公告)号：CN102780159B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210263198.3
申请日：2012-07-27
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
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公开(公告)号：CN102780159A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210263198.3
申请日：2012-07-27
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
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公开(公告)号：CN109524518B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811390736.9
申请日：2018-11-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种红光LED外延结构及制作方法，该红光LED外延结构通过设置存储层，使电洞集聚与此，随着电洞的不断增加，以及存储层本身可产生大量的电洞，从第一GaP层和第二GaP层跃迁过来的电洞拥有更高的电洞势能，电洞之间的碰撞，会产生更多的电洞跃迁至MWQ多量子阱层，即有源区，从而提供更高的电子与空穴对，进而提高内量子效率，同时生长第一InGaP层和第二InGaP层可以通过低温生长出更高的掺杂，通过第一GaP层和第二GaP层降低在高温生长过程中对In的影响，可以提供更高的电洞。
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公开(公告)号：CN109728502A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910015307.1
申请日：2019-01-08
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法，其中，N型DBR层由Al组分含量不同的AlYGa1-YAs组成，不同AlYGa1-YAs层间的势垒结减小，并利用相邻AlYGa1-YAs层之间的应力变化拉伸势垒高度，使得N型DBR层的势垒结整体深度变浅，降低N型DBR层的串联阻值，降低N型DBR层两端的电压，减小DBR层的阈值电流，使得电流在N型DBR层中消耗较少，进而减小外延结构的热损耗，提高外延结构的功率转换效率和斜率效率。另外，不同Al组分的AlYGa1-YAs之间形成台阶，势垒差减小，可以使电子更容易跃迁，电子与空穴复合对数增多，使粒子反转数增多，提高增益。
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