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公开(公告)号：CN114156383B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111468676.X
申请日：2021-12-03
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层。由此可知，本方案采用多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层代替传统的GaAs缓冲层，不仅可以削弱衬底缺陷和杂质对外延结构的影响，还可以降低反应室环境的本底杂质浓度以及氧元素残留，为生长高质量外延材料提供条件，同时降低成本和生长时间。
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公开(公告)号：CN114335265B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111660695.2
申请日：2021-12-30
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/30
摘要： 本申请实施例公开了一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构，该制作方法包括：在衬底表面依次形成N型层、发光层、P型层、过渡层以及欧姆接触层，欧姆接触层为GaP层，P型层包括P型限制层和P型窗口层，P型窗口层为AlxGa1‑xAs层；过渡层包括第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层为Al组分含量沿背离衬底表面方向从x均匀减小为0的AlyGa1‑yAs层；第二过渡层为P组分含量沿背离衬底表面方向从0均匀增加为1的GaAs1‑zPz层，从而使得过渡层能够稳定实现P型窗口层到欧姆接触层的晶格与带隙的过渡，有助于提高近红外LED的工作性能，并使得过渡层与P型窗口层以及欧姆接触层实现良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN108231962A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810126562.9
申请日：2018-02-08
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的制备方法在制备发光二极管的过程中，在外延结构的欧姆接触层和第一型粗化层之间制备了DBR层，并且在第二型扩展欧姆层背离第一衬底一侧还形成了ODR层，使得所述发光二极管中由于第一电极层遮挡而无法出射的光可以经由DBR层和ODR层的多次反射，达到改变出光角度及位置的目的，从而提升了发光二极管的发光效率。并且，在第一电极层两侧的第一型粗化层表面还形成有粗化表面，可以避免对出射光线形成全反射的概率，进一步提升了所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN108010996A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711227890.X
申请日：2017-11-29
申请人： 扬州乾照光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/14 , H01L33/30
摘要： 本申请提供一种AlGaInP发光二极管及其制作方法，所述制作方法为：分别提供第一LED外延结构、第二LED外延结构和第三衬底，其中，第一LED外延结构包括第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、第二型AlInP限制层，第二LED外延结构包括GaP电流扩展层，然后采用键合工艺将第二LED外延结构先与第三衬底键合，再将第一LED外延结构与第二LED外延结构键合，形成完整的发光二极管结构。通过两次键合工艺，避免了在生长较高晶体质量的GaP电流扩展层时，需要高于AlGaInP材料的温度，且耗时较长，造成的第一型掺杂杂质与第二型掺杂杂质向多量子阱层扩散，影响多量子阱的内量子效率。
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公开(公告)号：CN114156379B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111469259.7
申请日：2021-12-03
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光芯片的制作方法，采用二次转移技术，可以实现P面出光，并提高光的萃取效率；同时在第一欧姆接触层与金属镜面层中间增加介质层，并在介质层上使用光刻工艺制作特定尺寸和数量的介质孔，以使得第一欧姆接触层与介质孔中的金属镜面层形成欧姆接触，可以保证电压稳定，芯片工艺窗口增大，并且半导体与介质层与金属镜面层形成全方位反射镜结构，可以大大提高反射率。
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公开(公告)号：CN114695616A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210434189.X
申请日：2022-04-24
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种反极性LED结构及其制作方法，通过在反极性外延片P‑GaP窗口层上做光刻，通过干法或湿法刻蚀工艺对高掺杂的P‑GaP窗口层部分进行刻蚀，形成图形化的P‑GaP窗口层，然后再整面镀膜形成氧化结构，在不影响电压的情况下，提高外量子效率，使电流扩展更好，降低电压。
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公开(公告)号：CN114530533A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210162936.9
申请日：2022-02-22
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，将第二电极遮挡区域的至少欧姆接触层和部分第一型半导体层组成的叠层被至少部分刻蚀掉，形成凹槽，从而至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到第二电极遮挡区域的有源层中，进而减少第二电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高LED芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极遮挡的有源层中，进一步提高LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN107768492B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711144430.0
申请日：2017-11-17
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。
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公开(公告)号：CN114068781B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111348623.4
申请日：2021-11-15
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光器件，该发光器件的至少一个电极为忆阻器结构，从而可以预先设置忆阻器结构在发光器件的实际供电电压下的阻态，并调整忆阻器结构在该阻态下的电阻值，以便于当发光器件的实际供电电压大于其正常工作电压时，利用预先设置好电阻值的忆阻器结构对发光器件进行分压，防止流经发光器件的电流过大而使发光器件失效或光强不稳定，并且，由于忆阻器结构集成在发光器件内部，因此，无需像现有技术那样在发光器件的支路中额外增加分压器件，从而大大简化了电路结构，减小了器件的体积和成本，也减小了器件的工艺复杂度，当发光器件为LED时，还有助于实现显示屏中像素密度的提高。
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公开(公告)号：CN114267759A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111583664.1
申请日：2021-12-22
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有量子点层的外延结构及其制作方法和发光二极管芯片，以量子点有源层作为有源区，由于量子点层本身存在三维方向上对载流子的限制作用，从而能够提高发光二极管芯片的发光效率，即使在小电流下也能够实现较高的亮度。以及，本发明以量子点有源层作为有源区，无需为了获得较短的发光波长而提高Al组分，保证了发光二极管芯片的内量子效率较高。并且，本发明通过将非掺杂层的In组分制作为大于N型阻挡层的In组分，使非掺杂层与基底材料存在较大的正失配，为量子点层的生长提供了较好的条件，进而提高了发光二极管芯片的制作质量。
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