公开(公告)号：CN108767080A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810577204.X

申请日：2018-05-31

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 田宇 ,  颜慧 ,  韩效亚 ,  杜石磊

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

摘要： 本发明公开了一种基于AlN衬底的LED外延结构及生长方法和LED，所述AlN衬底包括基底和位于所述基底上的AlN层，所述LED外延结构包括位于所述AlN层上、且依次生长的N型GaN层、有源区和P型GaN层，所述LED外延结构还包括：位于所述AlN层与所述N型GaN层之间的缓冲层，所述缓冲层包括生长于所述AlN层背离所述基底一侧表面上、且厚度小于所述AlN层的AlN过渡层。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在AlN衬底的AlN层表面上形成一较薄的AlN过渡层，有效的释放LED外延结构与AlN衬底之间的应力，减少生长LED外延结构过程中出现碎裂情况的几率。

公开(公告)号：CN108767079A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810552223.7

申请日：2018-05-31

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 田宇 ,  颜慧 ,  韩效亚 ,  杜石磊

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯衬底的LED外延结构及生长方法和LED，石墨烯衬底包括基底和位于基底一侧表面的石墨烯层，生长于石墨烯衬底上的缓冲层，缓冲层包括生长于石墨烯层背离基底一侧表面的缓冲子层，缓冲子层为AlN缓冲子层、GaN缓冲子层、InGaN缓冲子层或AlGaInN缓冲子层；依次叠加生长于缓冲层上的N型GaN层、有源层和P型GaN层。本发明提供的技术方案，在石墨烯衬底上生长LED外延结构的缓冲层，降低LED外延结构和石墨烯衬底之间的晶格失配，及降低石墨烯衬底和LED外延结构之间的应力，进而能够制备高晶体质量的LED外延结构，进而有效降低极化电场，降低能带的弯曲，增加电子与空穴的复合效率。

公开(公告)号：CN108767079B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810552223.7

申请日：2018-05-31

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 田宇 ,  颜慧 ,  韩效亚 ,  杜石磊

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯衬底的LED外延结构及生长方法和LED，石墨烯衬底包括基底和位于基底一侧表面的石墨烯层，生长于石墨烯衬底上的缓冲层，缓冲层包括生长于石墨烯层背离基底一侧表面的缓冲子层，缓冲子层为AlN缓冲子层、GaN缓冲子层、InGaN缓冲子层或AlGaInN缓冲子层；依次叠加生长于缓冲层上的N型GaN层、有源层和P型GaN层。本发明提供的技术方案，在石墨烯衬底上生长LED外延结构的缓冲层，降低LED外延结构和石墨烯衬底之间的晶格失配，及降低石墨烯衬底和LED外延结构之间的应力，进而能够制备高晶体质量的LED外延结构，进而有效降低极化电场，降低能带的弯曲，增加电子与空穴的复合效率。