-
公开(公告)号：CN108172638B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201810141109.5
申请日：2018-02-11
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0687
摘要： 本发明公开了一种三结太阳电池，所述三结太阳电池包括：衬底；在所述衬底上沿着第一方向依次外延生长的底电池、第一隧穿结、应变反射层结构、第一子电池、第二隧穿结、第二子电池以及接触层，其中，所述第一方向为垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述底电池的方向，所述应变反射层结构包括多对堆叠设置的应变反射层。该三结太阳电池优化了各结子电池之间的电流匹配，通过设计应变反射层结构解决了增加In组分引入的晶格失配问题，降低了三结太阳电池有源区的应力，并且增加第一子电池的光吸收效率，极大程度的提高了三结太阳电池的光电转换效率和抗高能粒子辐射能力。
-
公开(公告)号：CN117542907A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311496958.X
申请日：2023-11-09
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0687
摘要： 本申请公开了一种多结太阳电池结构，该多结太阳电池结构包括衬底和位于衬底上层叠的多个子电池，多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底的方向设置的InjGaAs基区和InjGaAs发射区以及位于InjGaAs基区和InjGaAs发射区之间的多量子阱结构，多量子阱结构包括交替层叠的InxGaAs势阱层和InkGaAsPy势垒层，通过在InjGaAs基区和InjGaAs发射区之间的多量子阱结构整体至少一侧设置非掺杂层，从而可以减少InjGaAs基区和InjGaAs发射区两者中的至少一者中的掺杂原子扩散进入多量子阱结构，提高多量子阱结构的吸光效果。
-
公开(公告)号：CN115663595A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211429103.0
申请日：2022-11-15
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供了一种多结垂直腔面发射激光器，通过所述在谐振腔层内的相邻两组多量子阱层之间设有隧穿结；其中，所述多量子阱层设置于所述驻波的波腹位置，通过所述波腹位置的电场强度以获得最大的激光增益效果；至少部分所述隧穿结设置于所述驻波的波节位置，且其包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层，所述隧穿结通过将至少部分P型层配置在所述波节位置以减小所述P型层的吸光。其次，所述N型层和P型层的交界面与所述波节位置具有偏离距离，进一步地，所述N型层和P型层的交界面相对所述波节位置沿所述衬底一侧偏离。如此，可将所述P型层更多地配置在所述波节的相邻位置，从而减小所述P型层的吸光，以提高整个光器的电光转换效率。
-
公开(公告)号：CN115275771A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210937067.2
申请日：2022-08-05
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供了一种多结砷化镓垂直腔面发射激光器，在该多结砷化镓垂直腔面发射激光器中的M组多量子阱层中，每组多量子阱层中的阱层都为InGaAs阱层或InAlGaAs阱层；部分组的垒层为AlGaAs垒层；其他组的垒层为GaAsP垒层或AlGaAsP垒层，或者，部分组的垒层为AlGaAsPx垒层；其他组的垒层为AlGaAsPy垒层；M组多量子阱层中不同组的垒层不完全相同，使得该多结砷化镓垂直腔面发射激光器可以在获得最优电光转换效率的同时也能保证良好的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111276560B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010093535.3
申请日：2020-02-14
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种砷化镓太阳电池，包含底电池、至少一个子电池以及顶电池，其中：顶电池的窗口层全部或部分采用AlGaInP/AlInP超晶格。其优点是：AlGaInP/AlInP超晶格中AlGaInP可以通过提高Al组分来减小晶格常数和提高带隙，减少AlGaInP的吸光。而AlInP保持与GaInP子电池晶格匹配，利用AlGaInP/AlInP超晶格的应变生长可以提高窗口层带隙，减少吸光。
-
公开(公告)号：CN110911502B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201911251295.9
申请日：2019-12-09
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：依次层叠设置的第一子电池、第二子电池和第三子电池；位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结；位于第一隧穿结与第二子电池之间的变质缓冲层；位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结；变质缓冲层包括至少一层窗口层、一层过冲层和至少一层第一子缓冲层；每层子缓冲层均位于第一子电池和过冲层之间，沿第一子电池至第二子电池的方向，每层子缓冲层的晶格常数递增；过冲层位于最接近第二子电池的子缓冲层和最接近第一子电池的窗口层之间，过冲层的晶格常数大于第二子电池的晶格常数；每层窗口层均位于过冲层和第二子电池之间。
-
公开(公告)号：CN113066887A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110297175.3
申请日：2021-03-19
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
-
公开(公告)号：CN109860325B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910108643.0
申请日：2019-02-03
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/0256 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法，所述砷化物多结太阳能电池，包括至少三结子电池，其中至少一结子电池的基区为砷化物基区，所述砷化物基区采用掺杂渐变方式形成，并且在掺杂浓度低的区域，交替生长掺杂层和非掺杂层，降低了基区靠近PN结区域的平均载流子浓度，耗尽区宽度与平均载流子浓度反比例关系，因此此技术方案可以增加耗尽区厚度，改善载流子的收集效果，从而可以提高电池性能，同时这种方式的基区，因为采用掺杂层和非掺杂层交替生长的方式增加了少数载流子的迁移率，进而增加了少数载流子的扩散长度，最终可以提高载流子的寿命，提高电池的抗辐照性能。
-
公开(公告)号：CN110224036B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910531644.6
申请日：2019-06-19
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0687 , B82Y40/00
摘要： 本申请提供一种晶格失配多结太阳能电池，包括：至少一结晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；隧穿结的P型掺杂功能层为掺杂C的p型AlxGaAs层/掺杂Zn的p型AlyInGaAs层/掺杂C的p型AlxGaAs层，或者掺杂C的p型AlxGaAs层/掺杂Zn的p型AlyInGaAs层交替重复生长N个周期后，再生长掺杂C的p型AlxGaAs层的超晶格结构，采用新结构代替现有技术中掺杂C的p型(Al)InGaAs层，可有效避免p型AlyInGaAs层因为C的掺杂反应源卤素气体抑制In组分并入，而导致的与太阳能电池中的体材料InGaAs晶格失配的问题，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN111276560A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010093535.3
申请日：2020-02-14
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种砷化镓太阳电池，包含底电池、至少一个子电池以及顶电池，其中：顶电池的窗口层全部或部分采用AlGaInP/AlInP超晶格。其优点是：AlGaInP/AlInP超晶格中AlGaInP可以通过提高Al组分来减小晶格常数和提高带隙，减少AlGaInP的吸光。而AlInP保持与GaInP子电池晶格匹配，利用AlGaInP/AlInP超晶格的应变生长可以提高窗口层带隙，减少吸光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
109 条记录 (耗时 0.039 秒)
