公开(公告)号：CN102780159B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201210263198.3

申请日：2012-07-27

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 张帆 ,  韩效亚 ,  杜石磊 ,  林晓珊 ,  叶培飞 ,  占荣 ,  耿松涛 ,  张双翔

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/14

摘要： 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。

公开(公告)号：CN102780159A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210263198.3

申请日：2012-07-27

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 张帆 ,  韩效亚 ,  杜石磊 ,  林晓珊 ,  叶培飞 ,  占荣 ,  耿松涛 ,  张双翔

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/14

摘要： 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。

公开(公告)号：CN202415739U

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201120464155.2

申请日：2011-11-21

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 田宇 ,  韩效亚 ,  杜石磊 ,  叶培飞 ,  耿松涛 ,  张双翔 ,  张银桥 ,  王向武

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/14 ,  C30B25/12

摘要： LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本实用新型可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。

公开(公告)号：CN202817486U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220367669.0

申请日：2012-07-27

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 张帆 ,  韩效亚 ,  杜石磊 ,  林晓珊 ,  叶培飞 ,  占荣 ,  耿松涛 ,  张双翔

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/14

摘要： 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，涉及半导体激光器领域，本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。