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公开(公告)号：CN108367389B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201680068424.9
申请日：2016-11-21
申请人： 恩耐公司
IPC分类号： B23K26/082 , B23K26/062 , B23K26/352 , B22F3/105 , B33Y50/02
摘要： 本发明公开了方法，所述方法包括将激光束以可变扫描速度沿着扫描路径引导到目标，以及在所述激光束沿着所述扫描路径的移动期间并相对于所述可变扫描速度来调节数字调制以便沿着所述扫描路径在所述目标处提供预定注量范围内的注量。一些方法包括使用变焦光束扩展器调节所述激光束的宽度。本发明公开了装置，所述装置包括激光源，所述激光源被定位成发射激光束；3D扫描器，所述3D扫描器被定位成接收所述激光束并且沿着扫描路径将所述激光束引导在所述目标处的扫描平面内；以及激光源数字调制器，所述激光源数字调制器耦合到所述激光源以便在所述激光束扫描速率沿着所述扫描路径改变时沿着所述扫描路径在所述扫描平面处产生预定注量范围内的注量。
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公开(公告)号：CN104043900B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410097021.X
申请日：2014-03-14
申请人： 恩耐公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/268 , B23K26/064 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0613 , B23K26/0622 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , B23K26/211 , B23K26/354 , B23K26/36 , B23K26/60
摘要： 本发明涉及通过线束改进的热处理，其中多束、多波长处理系统包含被配置以分别向衬底提供束的两个或更多个激光器。所述激光器具有波长、脉冲持续时间、束面积、束强度、脉冲能量、偏振、重复率以及能够独立地选择的其他束属性。可以通过以第一波长的大面积束预加热，之后曝光至第二波长的聚焦束，来减小需要局部加热的处理过程中的衬底变形，从而将局部区域加热至期望的处理温度。对于一些处理，选择多个波长以在衬底中获得所期望的能量沉积。
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公开(公告)号：CN110651218B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880033132.0
申请日：2018-04-04
申请人： 恩耐公司
摘要： 一种设备包括：光源，其被定位成产生基准源光束；以及光学基准图案生成器，其被定位成用基准源光束在激光处理目标上产生至少一个瞬态光学基准，该激光处理目标位于激光扫描仪的视场中，所述激光扫描仪被定位成在激光处理目标上扫描激光处理光束，使得激光处理光束在激光处理目标上的定位变得相对于至少一个瞬态光学基准可调整。
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公开(公告)号：CN104956466B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201380068763.3
申请日：2013-12-19
申请人： 恩耐公司
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K2103/56 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要： 来自脉冲式光纤激光器的激光脉冲被导引至非晶硅层以通过重复的熔化和再结晶而产生包括结晶区域的无序排列的多晶硅层。可使用在10kHz至10MHz的重复率下、在约500nm与1000nm之间的波长范围下的约0.5到5ns的激光脉冲持续时间。可通过利用多模光纤中的拉曼散射使激光脉冲频谱展宽或通过将不同相位延迟应用到用激光脉冲形成的光束的不同部分来改善直线光束强度均一性，以减小光束相干性。
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公开(公告)号：CN104051244B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410095844.9
申请日：2014-03-14
申请人： 恩耐公司
CPC分类号： H01S5/0428 , B23K1/0056 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/352 , B29C65/1616 , B29C65/1664 , B29C65/1674 , B29C66/91443 , B29C66/919 , B29C66/949 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01S5/4012
摘要： 诸如对非晶硅进行退火，以形成多晶硅的处理使用曝光至由激光二极管或激光二极管阵列提供的脉冲激光束。基于来自相应的激光二极管的多个束的光束被成形且被引导到衬底。所述激光二极管的占空比被选择成小于约0.2，使得°s可以大于连续波运行中可用的。刚性衬底或柔性衬底上的非晶硅层被处理，以产生具有至少50cm2/Vs的迁移率的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN105144346B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201480022179.9
申请日：2014-02-21
申请人： 恩耐公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/428 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 公开了一种对多层结构非烧蚀地激光刻图的方法，所述多层结构包括：基底、设置在所述基底上的第一层、设置在所述第一层上的第二层以及设置在所述第二层上的第三层，该方法包括：生成至少一个激光脉冲，其具有被选择用于非烧蚀地改变第三层的选定部分的导电性而使得选定部分变为非导电的激光参数；以及引导所述脉冲到所述多层结构；其中，所述第一层的导电性基本上不被所述脉冲改变。
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公开(公告)号：CN110892593A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880047416.5
申请日：2018-03-28
申请人： 恩耐公司
摘要： 一种光束传送装置被配置为从光束生成可选强度轮廓。该装置包括具有第一折射率轮廓(RIP)的第一长度光纤以及具有不同于第一RIP的第二RIP的第二长度光纤。第二长度光纤包括同轴限制区域，该同轴限制区域被设置为限制经调整的光束的至少一部分。被限制部分对应于不同的强度分布中的一种强度分布。该强度分布由施加到装置上的不同扰动状态中的对应状态建立，使得被限制部分被配置为在第二长度光纤的输出端提供可选强度轮廓中的选定强度轮廓。
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公开(公告)号：CN110651218A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033132.0
申请日：2018-04-04
申请人： 恩耐公司
摘要： 一种设备包括：光源，其被定位成产生基准源光束；以及光学基准图案生成器，其被定位成用基准源光束在激光处理目标上产生至少一个瞬态光学基准，该激光处理目标位于激光扫描仪的视场中，所述激光扫描仪被定位成在激光处理目标上扫描激光处理光束，使得激光处理光束在激光处理目标上的定位变得相对于至少一个瞬态光学基准可调整。
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公开(公告)号：CN108941886B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201810494279.1
申请日：2018-05-22
申请人： 恩耐公司
发明人： R·J·马丁森
摘要： 本发明题为“对激光材料加工的精密标度时间控制”。本发明公开了方法，所述方法包括将激光束以可变扫描速度沿着扫描路径引导到目标，以及在所述激光束沿着所述扫描路径的移动期间并相对于所述可变扫描速度来调节数字调制以便沿着所述扫描路径在所述目标处提供预定注量范围内的注量。一些方法包括使用变焦光束扩展器调节所述激光束的宽度。本发明公开了装置，所述装置包括激光源，所述激光源被定位成发射激光束；3D扫描器，所述3D扫描器被定位成接收所述激光束并且沿着扫描路径将所述激光束引导在所述目标处的扫描平面内；以及激光源数字调制器，所述激光源数字调制器耦合到所述激光源以便在所述激光束扫描速率沿着所述扫描路径改变时沿着所述扫描路径在所述扫描平面处产生预定注量范围内的注量。
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公开(公告)号：CN114222944A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080053655.9
申请日：2020-06-24
申请人： 恩耐公司
摘要： 本发明公开了用于产生具有在功能上被均匀化的强度分布的激光输出光束的技术。根据一些实施方案，通过将低模式源光束施加到多模式约束芯来激励在多模式约束芯中的少量模式的群体，使得该群体表现出不稳定的强度分布。通过提供多模式约束芯中的相位位移的调制和进入多模式约束芯中的低模式源光束的发射条件的变化中的一者或两者，不稳定的强度分布在功能上被均匀化。
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