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公开(公告)号：CN114375411A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080062490.1
申请日：2020-09-25
申请人： 思科技术公司
摘要： 公开了一种光学装置，包括相位延迟件，第一绝热耦合器，其适合于接收输入信号并且适合于与相位延迟件的输入光学耦合，以及第二绝热耦合器，其适合于与相位延迟件的输出光学耦合。第二绝热耦合器包括第一波导，该第一波导包括与第一输出光学耦合并且包括第一宽度的第一部分，以及第二波导，该第二波导包括与第二输出光学耦合并且包括与第一宽度大致相等的第二宽度的第二部分。
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公开(公告)号：CN112400284B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980043447.8
申请日：2019-06-26
申请人： 思科技术公司
摘要： 可以通过以下步骤来实现对硅光子学中的光信号进行消光的改进：向光电元件(PE)提供已知特性的测试信号，以通过PE的第一臂上的第一移相器和强度调制器和PE的第二臂上的第二移相器和强度调制器来对测试信号进行消光；扫过第一强度调制器处的多个电压，以识别第一电压和第二电压，第一电压与PE的输出端处的满足引发损耗阈值的消光比相关联，第二电压与PE的输出端处的测试信号中满足消光比阈值的引发损(56)对比文件Wangzhe Li《.First MonolithicallyIntegrated Dual-Pumped Phase-SensitiveAmplifier Chip Based on a SaturatedSemiconductor Optical Amplifier》《.IEEEJOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS》.2015,全文.郑鑫;王翌;卢春燕;金晓峰;章献民;池灏;郑史烈.基于双通道马赫-曾德尔调制器调制边带滤波的微波光子移相器.光学学报.2012,(第12期),全文.曹彤彤;张利斌;费永浩;曹严梅;雷勋;陈少武.基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计.物理学报.2013,(第19期),全文.
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公开(公告)号：CN114616655A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080074592.5
申请日：2020-11-05
申请人： 思科技术公司
发明人： 桑德普·拉兹丹 , 维普尔库马尔·K·帕特尔 , 马克·A·韦伯斯特 , 马修·J·特拉弗索
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/768 , H01L21/78 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/30 , G02B6/42 , G02B6/43
摘要： 本文描述的各方面包括一种方法，该方法包括：将光子晶圆与电子晶圆进行接合以形成晶圆组件；去除晶圆组件的衬底以暴露光子晶圆或电子晶圆的表面；在光子晶圆的金属层与电子晶圆的金属层之间形成电连接；以及通过在所暴露的表面处将中介层晶圆与晶圆组件进行接合来将中介层晶圆添加至晶圆组件。中介层晶圆包括与光子晶圆和电子晶圆中的一者或两者的金属层电耦合的贯穿过孔。该方法还包括切割晶圆组件以形成多个管芯。每个管芯的相应边缘耦合器在通过切割形成的界面处被光学暴露。
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公开(公告)号：CN112400284A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980043447.8
申请日：2019-06-26
申请人： 思科技术公司
摘要： 可以通过以下步骤来实现对硅光子学中的光信号进行消光的改进：向光电元件(PE)提供已知特性的测试信号，以通过PE的第一臂上的第一移相器和强度调制器和PE的第二臂上的第二移相器和强度调制器来对测试信号进行消光；扫过第一强度调制器处的多个电压，以识别第一电压和第二电压，第一电压与PE的输出端处的满足引发损耗阈值的消光比相关联，第二电压与PE的输出端处的测试信号中满足消光比阈值的引发损耗相关联；以及基于第一电压和第二电压将PE设置为向第一强度调制器提供操作电压。
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公开(公告)号：CN113994244B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202080044427.5
申请日：2020-06-16
申请人： 思科技术公司
摘要： 本文描述的方面包括一种光学装置，包括至少第一级的第一布拉格光栅。该第一布拉格光栅被配置为透射接收到的光信号的第一组两个波长并反射第二组两个波长。该光学装置还包括第二级的第二布拉格光栅。该第二布拉格光栅被配置为透射第一组两个波长中的一个并反射第一组两个波长中的另一个。该光学装置还包括第二级的第三布拉格光栅。该第三布拉格光栅被配置为透射第二组两个波长中的一个并反射第二组两个波长中的另一个。
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公开(公告)号：CN115104266A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014839.9
申请日：2021-03-10
申请人： 思科技术公司
摘要： 本文描述的各方面包括一种光学装置，该光学装置包括输入端口和多个输出端口，该输入端口被配置为接收包括多个波长的光信号。每个输出端口被配置为输出多个波长中的相应波长。该光学装置还包括级联布置的第一多个双模布拉格光栅。第一多个双模布拉格光栅中的每个光栅被配置为将多个波长中的相应波长反射向多个输出端口中的相应输出端口，并且透射多个波长中的任何剩余波长。
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公开(公告)号：CN113557469B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080020638.5
申请日：2020-03-10
申请人： 思科技术公司
发明人： 阿列克谢·V·贝尔特 , 马克·A·韦伯斯特
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。
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公开(公告)号：CN118104160A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069825.1
申请日：2022-09-29
申请人： 思科技术公司
发明人： 李宇浩 , 凌涛 , 拉维·S·塔米迪 , 马克·A·韦伯斯特 , 普拉卡什·B·哥托斯卡
摘要： 经由下列项提供制造耐受的芯片上多路复用器和多路解复用器：格型滤波器交织器，被配置为接收包括多个个体信号的输入信号并且产生具有多个个体信号的第一子集的第一交织信号和具有多个个体信号的第二子集的第二交织信号；第一布拉格交织器，被配置为接收第一交织信号并且产生包括多个个体信号中的第一个体信号的第一输出信号和包括多个个体信号中的第二个体信号的第二输出信号；以及第二布拉格交织器，被配置为接收第二交织信号并且产生包括多个个体信号中的第三个体信号的第三输出信号和包括多个个体信号中的第四个体信号的第四输出信号。
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公开(公告)号：CN113557469A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020638.5
申请日：2020-03-10
申请人： 思科技术公司
发明人： 阿列克谢·V·贝尔特 , 马克·A·韦伯斯特
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。
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