公开(公告)号：CN113557469B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202080020638.5

申请日：2020-03-10

申请人： 思科技术公司

发明人： 阿列克谢·V·贝尔特 ,  马克·A·韦伯斯特

IPC分类号： G02F1/025

摘要： 实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。

公开(公告)号：CN113557469A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080020638.5

申请日：2020-03-10

申请人： 思科技术公司

发明人： 阿列克谢·V·贝尔特 ,  马克·A·韦伯斯特

IPC分类号： G02F1/025

摘要： 实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。