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公开(公告)号：CN105121714A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380063449.6
申请日：2013-10-03
申请人： 康宁股份有限公司
摘要： 使用一系统形成半导体材料片材的方法。所述系统包括沿着第一轴线延伸且能绕着第一轴线旋转的第一凸面元件，以及与第一凸面元件隔开的沿着第二轴线延伸且能绕着第二轴线旋转的第二凸面元件。第一和第二凸面元件限定了在它们之间的辊隙。所述方法包括在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上施加半导体材料熔体以在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上形成沉淀物。所述方法还包括以相互相对的方向旋转第一和第二凸面元件以允许沉淀物穿过辊隙,由此形成半导体材料片材。
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公开(公告)号：CN102639759B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080054695.1
申请日：2010-12-03
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： C30B15/007 , C30B11/00 , C30B19/062 , C30B29/06
摘要： 一种制备半导体材料制品的方法，它包括：选择该制品的目标厚度，然后将模具浸入熔融半导体材料，浸没时间能够有效地在模具外表面上形成半导体材料的固体层，其中固体层的厚度基本上等于目标厚度。将浸没时间选为基本上等于转变时间，这可从具有特定属性的模具的固体层厚度-浸没时间曲线确定，所述特定属性包括模具组成、模具厚度和模具初温。转变时间与特定模具的固体层厚度-浸没时间曲线中的最大固体层厚度相对应，因此浸没时间也与之相对应。
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公开(公告)号：CN102639759A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054695.1
申请日：2010-12-03
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： C30B15/007 , C30B11/00 , C30B19/062 , C30B29/06
摘要： 一种制备半导体材料制品的方法，它包括：选择该制品的目标厚度，然后将模具浸入熔融半导体材料，浸没时间能够有效地在模具外表面上形成半导体材料的固体层，其中固体层的厚度基本上等于目标厚度。将浸没时间选为基本上等于转变时间，这可从具有特定属性的模具的固体层厚度-浸没时间曲线确定，所述特定属性包括模具组成、模具厚度和模具初温。转变时间与特定模具的固体层厚度-浸没时间曲线中的最大固体层厚度相对应，因此浸没时间也与之相对应。
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公开(公告)号：CN103562442A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025716.6
申请日：2012-05-23
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： C30B15/007 , C30B15/36 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及基材模具，该基材模具包括：具有外表面和内表面的壳材料，所述外表面构造成接合熔融半导体材料，所述内表面构造成作为热传输表面以通过其传输热量，以及限定在壳材料内的芯，其构造成通过壳材料的热传输表面从壳材料去除热量。基材模具构造成浸入熔融半导体材料中，壳材料的外表面构造成具有在其上形成的固化的熔融半导体材料。
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公开(公告)号：CN103221587A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056400.9
申请日：2011-11-22
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及使用热活性模具制造无支撑半导体材料物品的方法，该热活性模具具有外表面温度T表面和核温度T核，其中T表面＞T核。
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公开(公告)号：CN102648310A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080055477.X
申请日：2010-12-07
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/64 , H01L31/18 , H01L21/02 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/16 , C30B29/42 , C30B29/52 , C30B29/08
CPC分类号： C30B29/64 , C30B11/003 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/16 , C30B29/42 , C30B29/52 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明揭示了制备和/或处理半导体材料制品的方法。在多个方法中，提供第一半导体材料制品，充分加热所述第一半导体材料制品，使该半导体材料熔化，在基本平行于熔融的半导体材料制品最短尺寸的方向上使所述熔融的半导体材料固化。本发明还揭示了通过本文所述的方法制备的半导体材料制品。
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公开(公告)号：CN103635439B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280033221.8
申请日：2012-06-25
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C03B37/014
CPC分类号： C01B33/183 , B01J12/00 , C03B37/01413 , C03B2207/42 , C03B2207/46
摘要： 提供了一种用于混合蒸发的前体和气体以制备二氧化硅颗粒的设备。该设备包括混合器外壳，具有与该混合器外壳连通的出料口、用于在该混合器外壳中递送蒸发的前体的前体递送室，以及具有与该混合器外壳连通的出料口、用于递送待与所述蒸发的前体混合的氧化气体的氧化气体递送室。该设备还包括一回火元件，该回火元件布置在该混合器外壳中，位于所述前体递送室的出料口和所述氧化气体递送室的出料口之间。所述回火元件以L最小(厘米)=0.453U(Re)-0.5567限定的离所述氧化气体递送室出料口的最小间距设置，式中U是前体流速，单位为厘米/秒，Re是流动雷诺数。所述回火元件可在至少一侧包括倾斜的表面以减少蒸发的气体的再循环。
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公开(公告)号：CN103635439A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280033221.8
申请日：2012-06-25
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C03B37/014
CPC分类号： C01B33/183 , B01J12/00 , C03B37/01413 , C03B2207/42 , C03B2207/46
摘要： 提供了一种用于混合蒸发的前体和气体以制备二氧化硅颗粒的设备。该设备包括混合器外壳，具有与该混合器外壳连通的出料口、用于在该混合器外壳中递送蒸发的前体的前体递送室，以及具有与该混合器外壳连通的出料口、用于递送待与所述蒸发的前体混合的氧化气体的氧化气体递送室。该设备还包括一回火元件，该回火元件布置在该混合器外壳中，位于所述前体递送室的出料口和所述氧化气体递送室的出料口之间。所述回火元件以L最小(厘米)=0.453U(Re)-0.5567限定的离所述氧化气体递送室出料口的最小间距设置，式中U是前体流速，单位为厘米/秒，Re是流动雷诺数。所述回火元件可在至少一侧包括倾斜的表面以减少蒸发的气体的再循环。
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公开(公告)号：CN102037546B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980115726.7
申请日：2009-02-27
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H01L21/208 , C30B15/00 , C30B28/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B28/04
摘要： 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法，以及由此形成的半导体材料制品，例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。
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公开(公告)号：CN102648310B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201080055477.X
申请日：2010-12-07
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/64 , H01L31/18 , H01L21/02 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/16 , C30B29/42 , C30B29/52 , C30B29/08
摘要： 本发明揭示了制备和/或处理半导体材料制品的方法。在多个方法中，提供第一半导体材料制品，充分加热所述第一半导体材料制品，使该半导体材料熔化，在基本平行于熔融的半导体材料制品最短尺寸的方向上使所述熔融的半导体材料固化。本发明还揭示了通过本文所述的方法制备的半导体材料制品。
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